摘要:
三种新的苯并噻吩并[3,2- b ]噻吩(BTT ; 1)衍生物,它们分别用苯基(BTT-P ; 2),苯并噻吩基(BTT-BT ; 3)和苯并噻吩并[3,2- b合成了]硫代苯基(BBTT;4;1的二聚体)并在有机薄膜晶体管(OTFT)中进行了表征。开发了一种新的,经过改进的BTT合成方法,该方法可以有效地实现基于BTT的新型半导体。BBTT的晶体结构通过单晶X射线衍射测定。在该家族中,BBTT具有最大的p通道特性,其载流子迁移率高达0.22 cm 2 V -1 s -1,电流开/关比高,是该研究中BTT衍生物最大的共轭物。底部接触/底栅OTFT器件的最大稳定度为1×10 7,并且具有良好的环境稳定性。器件特性与相应化合物的薄膜形态和微观结构相关。