Synchrotron radiography and x-ray topography studies of hexagonal habitus SiC bulk crystals
摘要:
相敏同步辐射(SR)射线照相术与 X 射线衍射拓扑图相结合,研究了碳化硅晶体的结构缺陷。所研究的特定块状碳化硅晶体具有较低的微管密度和由棱柱面、金字塔面和基底面组成的发育良好的六边形习性。切片 (0001) 硅片的 X 射线衍射拓扑图像是由于与缺陷边界相关的复杂晶格畸变而形成的,它表明在 (0001) 平面的法线径向存在二维缺陷边界。特别是,那些平行于〈1120〉方向的缺陷边界离种子相当远。另一方面,通过相敏 SR 射线照相术,可以检测到微管聚集的影响。微管主要聚集在缺陷边界附近,但很少出现在群组之间。对形成这种特殊缺陷结构的可能原因进行了一些一般性评论。