sodium 4-methacryloyloxy-1,1,2-trifluorobutanesulfonate | 1311959-23-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: sodium 4-methacryloyloxy-1,1,2-trifluorobutanesulfonate
• 英文别名: Sodium;1,1,2-trifluoro-4-(2-methylprop-2-enoyloxy)butane-1-sulfonate
• CAS: 1311959-23-5
• 化学式: C₈H₁₀F₃O₅S*Na
• 分子量: 298.215
• InChiKey: JZRPQBILVJTIRI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.02
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  91.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 sodium 4-methacryloyloxy-1,1,2-trifluorobutanesulfonate 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 10.0h， 以70%的产率得到(4-Cyclohexylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2-trifluoro-4-(2-methylprop-2-enoyloxy)butane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Radiation-sensitive resin composition, monomer, polymer, and production method of radiation-sensitive resin composition

  摘要：

  一种辐射敏感树脂组合物包括溶剂和聚合物。该聚合物包括由公式（I）表示的重复单元，由公式（II）表示的重复单元，或两者都包括的重复单元。R1至R3中的每一个独立表示羟基或类似物。至少有一个R1表示具有两个或更多杂原子的基团。l是1到5之间的整数。m和n中的每一个独立地是0到5之间的整数。R7和R11中的每一个独立表示氢原子或类似物。R8到R10中的每一个独立表示氢原子或类似物。A表示—O—或类似物。D表示取代或未取代的亚甲基基团或类似物。

  公开号：

  US08632945B2

文献信息

• COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE USING SAME
  申请人：TOYO GOSEI CO., LTD.

  公开号：US20200048191A1

  公开（公告）日：2020-02-13

  An onium salt and a composition having high sensitivity and excellent pattern characteristics such as LWR, which is preferably used for a resist composition for a lithography process using two active energy rays of a first active energy ray such as an electron beam or an extreme ultraviolet and a second active energy ray such as UV.

  一种酰铵盐和具有高灵敏度和优秀图案特性（如LWR）的组合物，最好用于利用第一活性能量射线（如电子束或极紫外线）和第二活性能量射线（如紫外线）的光刻工艺的光刻胶组合物。
• Composition and method for manufacturing device using same
  申请人：TOYO GOSEI CO., LTD.

  公开号：US11142495B2

  公开（公告）日：2021-10-12

  An onium salt and a composition having high sensitivity and excellent pattern characteristics such as LWR, which is preferably used for a resist composition for a lithography process using two active energy rays of a first active energy ray such as an electron beam or an extreme ultraviolet and a second active energy ray such as UV.

  一种鎓盐和一种具有高灵敏度和优异图案特性（如 LWR）的组合物，该组合物最好用于光刻工艺中的抗蚀剂组合物，该光刻工艺使用第一种活性能量射线（如电子束或极紫外线）和第二种活性能量射线（如紫外线）。
• [EN] SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE<br/>[FR] SEL DE SULFONIUM, GÉNÉRATEUR D'ACIDE, COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF<br/>[JA] スルホニウム塩、酸発生剤、レジスト組成物、及びデバイスの製造方法
  申请人：TOYO GOSEI CO LTD

  公开号：WO2021095356A1

  公开（公告）日：2021-05-20

  下記一般式（１）で表されるスルホニウム塩。 （前記一般式（１）において、　Ｒ１～Ｒ３はそれぞれ独立して、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数６～３０のアリール基又は炭素数４～３０のヘテロアリール基であり；　前記アルキル基が有する少なくとも１つの炭素－炭素単結合は、炭素－炭素二重結合又は炭素－炭素三重結合に置換されてもよく； 前記アルキル基に含まれる少なくとも1つのメチレン基は、－O－、－CO－、－NH－、－S－、－SO－及び－SO2－からなる群より選択される少なくともいずれかの2価のヘテロ原子含有基で置換されてもよく；　Ａｒ１は、炭素数６～３０のアリーレン基であり；　Ｒ１～Ｒ３及びＡｒ１のうち少なくとも１つは、炭素数１～２０の１価の有機基、アミノ基、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくともいずれかの置換基（Ｒ）を有し；　Ｒ１～Ｒ３、Ａｒ１及び前記置換基（Ｒ）のうち少なくとも２つは、単結合で直接に、又は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子含有基及びアルキレン基からなる群より選択されるいずれかの２価の基を介して、Ｒ１～Ｒ３又はＡｒ１が結合する硫黄原子及び／又はＡと共に環を形成してもよく；　Ａは、－Ｓ－、－ＳＯ－及び－ＳＯ２－からなる群より選択される２価の基であり；　Ａｒ１において、Ａは、スルホニオ基（Ｓ＋）に対してオルト位に置換しており；　Ｘ-は、アニオンである。）