3-Ethyl-3-[6-[4-[4-[2-[5-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-2-methylthiophen-3-yl]-3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopenten-1-yl]-5-methylthiophen-2-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane | 1164135-17-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: 3-Ethyl-3-[6-[4-[4-[2-[5-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-2-methylthiophen-3-yl]-3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopenten-1-yl]-5-methylthiophen-2-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane
• 英文别名: 3-ethyl-3-[6-[4-[4-[2-[5-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-2-methylthiophen-3-yl]-3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopenten-1-yl]-5-methylthiophen-2-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane
• CAS: 1164135-17-4
• 化学式: C₅₁H₆₂F₆O₆S₂
• 分子量: 949.172
• InChiKey: BWYIZCHZJJGEIR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12
• 重原子数：
  65
• 可旋转键数：
  26
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  112
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  14

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-Ethyl-3-[6-[4-[4-[2-[5-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-2-methylthiophen-3-yl]-3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopenten-1-yl]-5-methylthiophen-2-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane 在 <4-(Octyloxy)phenyl>phenyliodonium hexafluoroantimonate 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 0.02h， 生成 3-ethyl-3-[6-[4-[(1R,2R)-14-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-8,8,9,9,10,10-hexafluoro-1,2-dimethyl-3,15-dithiatetracyclo[10.3.0.02,6.07,11]pentadeca-4,6,11,13-tetraen-4-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane
  参考文献：
  名称：

  具有中间态连续体的光致变色二极管：向高密度多级存储的方向发展

  摘要：

  对于使用光致变色（二噻吩基乙烯）开关层的有机二极管，证明了连续状态（电流水平）的连续性。通过控制转导层中封闭异构体（X）的比例，可以获得特定的中间状态，从而为多层存储应用提供了一种新颖的方法。根据闭环二噻吩乙烯异构体的浓度和形态讨论了该装置的模拟响应，可以通过光和电开关反应进行访问。

  DOI：

  10.1002/adma.201301286
• 作为产物：
  描述：

  3-ethyl-3-[6-[4-[(1R,2R)-14-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-8,8,9,9,10,10-hexafluoro-1,2-dimethyl-3,15-dithiatetracyclo[10.3.0.02,6.07,11]pentadeca-4,6,11,13-tetraen-4-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane 生成 3-Ethyl-3-[6-[4-[4-[2-[5-[4-[6-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]hexoxy]phenyl]-2-methylthiophen-3-yl]-3,3,4,4,5,5-hexafluorocyclopenten-1-yl]-5-methylthiophen-2-yl]phenoxy]hexoxymethyl]oxetane
  参考文献：
  名称：

  有机存储无源矩阵阵列中的光电多层存储

  摘要：

  提出了将基于光致变色转换层的有机存储二极管集成到简单的交叉式无源矩阵阵列中。我们表明，这些二极管的高整流比可以成功地抑制这些器件中的串扰效应，从而避免了集成其他二极管或晶体管的必要性。我们将无源矩阵器件的性能与非交叉参考器件的性能进行了比较，并讨论了与边缘效应有关的性能限制，这是制造工艺的结果。最后，我们表明，电流密度对换能层的增量切换的模拟响应可用于存储元件的多级编程，而对中间状态的数量没有固有限制。

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2014.10.011

文献信息

• A Photochromic Diode With a Continuum of Intermediate States: Towards High Density Multilevel Storage
  作者：R. Clayton Shallcross、Peter O. Körner、Eduard Maibach、Anne Köhnen、Klaus Meerholz

  DOI：10.1002/adma.201301286

  日期：2013.9.14

  A continuum of intermediate states (current levels) is demonstrated for an organic diode utilizing a photochromic (dithienylethene) switching layer. Specific intermediate states can be attained by controlling the fraction of closed isomer (X) in the transduction layer, affording a novel methodology for multilevel storage applications. The analog response of the device is discussed in terms of the concentration

  对于使用光致变色（二噻吩基乙烯）开关层的有机二极管，证明了连续状态（电流水平）的连续性。通过控制转导层中封闭异构体（X）的比例，可以获得特定的中间状态，从而为多层存储应用提供了一种新颖的方法。根据闭环二噻吩乙烯异构体的浓度和形态讨论了该装置的模拟响应，可以通过光和电开关反应进行访问。
• Zacharias, Philipp; Gather, Malte C.; Koehnen, Anne, Angewandte Chemie - International Edition, 2009, vol. 48, p. 4038 - 4041
  作者：Zacharias, Philipp、Gather, Malte C.、Koehnen, Anne、Rehmann, Nina、Meerholz, Klaus

  DOI：——

  日期：——
• Optical and electrical multilevel storage in organic memory passive matrix arrays
  作者：Peter O. Körner、R. Clayton Shallcross、Eduard Maibach、Anne Köhnen、Klaus Meerholz

  DOI：10.1016/j.orgel.2014.10.011

  日期：2014.12

  The integration of organic memory diodes, based on photochromic transduction layers, into a simple cross-bar passive matrix array is presented. We show that the high rectification ratios of these diodes successfully suppresses crosstalk effects in these devices, thus avoiding the necessity to integrate additional diodes or transistors. We compare the passive matrix devices’ performance to that of non-crossbar

  提出了将基于光致变色转换层的有机存储二极管集成到简单的交叉式无源矩阵阵列中。我们表明，这些二极管的高整流比可以成功地抑制这些器件中的串扰效应，从而避免了集成其他二极管或晶体管的必要性。我们将无源矩阵器件的性能与非交叉参考器件的性能进行了比较，并讨论了与边缘效应有关的性能限制，这是制造工艺的结果。最后，我们表明，电流密度对换能层的增量切换的模拟响应可用于存储元件的多级编程，而对中间状态的数量没有固有限制。