indium tin tert-butyl oxide | 131010-17-8

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: indium tin tert-butyl oxide
• 英文别名: In(OtBu3)(tin)
• CAS: 131010-17-8
• 化学式: C₁₂H₂₇InO₃Sn
• 分子量: 452.875
• InChiKey: KWGCTFQKSFYZAG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  indium tin tert-butyl oxide 以 四氢呋喃 、 甲苯 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Veith, Michael; Kunze, Klaus, Angewandte Chemie, 1991, vol. 103, p. 92 - 94

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  indium(I) bromide 、 以 甲苯 为溶剂， 以92%的产率得到indium tin tert-butyl oxide
  参考文献：
  名称：

  Veith, Michael; Kunze, Klaus, Angewandte Chemie, 1991, vol. 103, p. 92 - 94

  摘要：

  DOI：

文献信息

• A Low-Temperature Molecular Approach to Highly Conductive Tin-Rich Indium Tin Oxide Thin Films with Durable Electro-Optical Performance
  作者：Yilmaz Aksu、Matthias Driess

  DOI：10.1002/anie.200901204

  日期：2009.10.5

  Save energy, smile! Highly conductive tin‐rich indium tin oxide (ITO) composites are easily accessible using the molecular precursor Sn(tBuO)3In. The as‐prepared transparent and highly conductive thin films on glass substrates are atomically flat and show the best performance to date in ITO‐based electroluminescent applications.

  节省能源，微笑！使用分子前驱体Sn（t BuO）3 In可以轻松获得高导电性的富锡铟锡氧化物（ITO）复合材料。在玻璃基板上制备的透明且高导电性的薄膜原子上是平坦的，并且在基于ITO的电致发光应用中显示出迄今为止最好的性能。