已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。
Crystal Engineering for π−π Stacking via Interaction between Electron-Rich and Electron-Deficient Heteroaromatics
作者:Yu-Chang Chang、Yu-Da Chen、Chih-Hsin Chen、Yuh-Sheng Wen、Jiann T. Lin、Hsing-Yin Chen、Ming-Yu Kuo、Ito Chao
DOI:10.1021/jo800546j
日期:2008.6.1
New dipolar compounds containing alternating electron-rich thieno[3,2-b]thiophene units and electron deficient units have been synthesized. Compounds with 5-pyrimidinyl (compound 2) or benzothiazole (compound 5) as the electron-deficient unit were structurally characterized by the single-crystal X-ray diffraction method. The arrangement of the molecules is found to be one-dimensional slipped-π-stack
已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。