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2-thieno[3,2-b]thiophen-2-yl-1H-benzoimidazole | 1032130-91-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-thieno[3,2-b]thiophen-2-yl-1H-benzoimidazole
英文别名
2-thieno[3,2-b]thiophen-5-yl-1H-benzimidazole
2-thieno[3,2-b]thiophen-2-yl-1H-benzoimidazole化学式
CAS
1032130-91-8
化学式
C13H8N2S2
mdl
MFCD22996534
分子量
256.352
InChiKey
RZCJCOAFTCQPEI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    85.2
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2-甲酰基并二噻吩邻苯二胺 在 sodium metabisulfite 作用下, 以 乙醇N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 6.0h, 以15%的产率得到2-thieno[3,2-b]thiophen-2-yl-1H-benzoimidazole
    参考文献:
    名称:
    通过富电子和缺乏电子的杂芳族化合物之间的相互作用进行π-π堆积的晶体工程
    摘要:
    已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。
    DOI:
    10.1021/jo800546j
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文献信息

  • Crystal Engineering for π−π Stacking via Interaction between Electron-Rich and Electron-Deficient Heteroaromatics
    作者:Yu-Chang Chang、Yu-Da Chen、Chih-Hsin Chen、Yuh-Sheng Wen、Jiann T. Lin、Hsing-Yin Chen、Ming-Yu Kuo、Ito Chao
    DOI:10.1021/jo800546j
    日期:2008.6.1
    New dipolar compounds containing alternating electron-rich thieno[3,2-b]thiophene units and electron deficient units have been synthesized. Compounds with 5-pyrimidinyl (compound 2) or benzothiazole (compound 5) as the electron-deficient unit were structurally characterized by the single-crystal X-ray diffraction method. The arrangement of the molecules is found to be one-dimensional slipped-π-stack
    已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。
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