摘要:
详细研究新型分子金属四苯卟啉碘化物(H(2)(tbp)I)的结构,电导率,磁阻,光谱和磁性能(磁化率,EPR)以及Ni( tbp)。H(2)(tbp)I和Ni(tbp)I的合成过程中仔细排除了顺磁过渡离子杂质,这两种材料都比以前观察到的较纯净的Ni(tbp)I表现出更高的金属样电导率。 。比较Ni(tbp)I和H(2)(tbp)I的镜面反射率数据可以区分纯环pi跃迁和涉及金属的电荷转移跃迁,并且光谱固定了pi轨道的能级参与传导。磁性运输 光学性能表明,H(2)(tbp)I和Ni(tbp)I都是基于环的导体,具有类似金属的电导率,变化范围大约为1 / T,低至大约1。30-40K。但是,tbp导体中的剩余缺陷水平高于H(2)(pc)I,而后者在mK温度范围内是金属的,(tbp)化合物中的缺陷将传导电子定位在大约10 K(Ni(tbp)I)和大约30 K(H(2)(tbp)I)处,从而导致通过