Gallium--rhodium (3/1) | 60862-22-8

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: Gallium--rhodium (3/1)
• 英文别名: gallane;rhodium
• CAS: 60862-22-8
• 化学式: Ga3H9Rh
• 分子量: 321.15
• InChiKey: AWYCHTMWODZXAB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.55
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 、 铑 生成 Gallium--rhodium (3/1)
  参考文献：
  名称：

  HT-Ga3Rh 中的化学键及其对结构组织和热电行为的影响

  摘要：

  在金属间化合物Ga 3 TM（TM─过渡金属）的系统研究过程中，通过元素在700℃下直接反应合成了化合物Ga 3 Rh。所获得的材料被表征为Ga 3 Rh的高温改性体。粉末和单晶 X 射线衍射分析揭示了四方对称性（空间群P 4 2 / mnm ，编号 146）， a = 6.4808(2) Å 和c = 6.5267(2) Å。 Ga原子的原子位移参数值大且各向异性强，表明晶体结构存在本质无序。应用分裂位置技术来描述ht -Ga 3 Rh 的真实晶体结构。在具有空间群P 1̅、 P 4 2 nm和P 4 2 2 1 2 的有序模型上进行的ht -Ga 3 Rh 中的成键分析表明，除了菱形棱柱∞ 3 [Ga 8中无处不在的杂原子 Ga-Rh 键之外， /2 Rh 2 ]，形成桥接 Rh-Rh 接触的同原子 Ga-Ga 键，并且不存在显着的 Rh-Rh 键合。这些特征是实验观察到晶格无序的重要原因。与计算出的电子态密度一致，

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.4c01280