在4.2–300 K的温度范围和4000–40 000 cm –1的能量范围内,测量了一系列钼(V)配合物和[WOCl 4(H 2 O)] –的电子吸收光谱。低于18000 cm –1的吸收带已分配给单电子促进d xy *→ d xz *,d yz *。可见光区域中的波段被分类为I(d xy *→ d x 2 – y 2*)或II型(面内配体到金属的电荷转移)。已比较了发色团MoO 3+,VO 2 +,WO 3+,MoN 2 +,RuN 3+和OsN 3+的吸收光谱分配,以产生自洽的分配。
在4.2–300 K的温度范围和4000–40 000 cm –1的能量范围内,测量了一系列钼(V)配合物和[WOCl 4(H 2 O)] –的电子吸收光谱。低于18000 cm –1的吸收带已分配给单电子促进d xy *→ d xz *,d yz *。可见光区域中的波段被分类为I(d xy *→ d x 2 – y 2*)或II型(面内配体到金属的电荷转移)。已比较了发色团MoO 3+,VO 2 +,WO 3+,MoN 2 +,RuN 3+和OsN 3+的吸收光谱分配,以产生自洽的分配。