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2-(1,1-dimethyl-3-oxobutyl)acrylic acid | 727664-97-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
2-(1,1-dimethyl-3-oxobutyl)acrylic acid
英文别名
3,3-Dimethyl-2-methylidene-5-oxohexanoic acid
2-(1,1-dimethyl-3-oxobutyl)acrylic acid化学式
CAS
727664-97-3
化学式
C9H14O3
mdl
——
分子量
170.208
InChiKey
QDBRRBVMYVMDDS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.2
  • 重原子数:
    12
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.56
  • 拓扑面积:
    54.4
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-(1,1-dimethyl-3-oxobutyl)acrylic acid臭氧 作用下, 以 乙醚二氯甲烷 为溶剂, 生成 3,3-dimethyl-2,5-dioxohexanoic acid methyl ester
    参考文献:
    名称:
    二溴甲烷作为有机合成中的一碳源:一种从相应的末端烯烃制备环状和无环α-亚甲基或α-酮酸衍生物的通用方法
    摘要:
    将单取代的烯烃A - 1进行臭氧分解,然后与CH 2 Br 2 -Et 2 NH的预热混合物反应,可得到高产率的α-取代的丙烯醛A - 2。在非常温和的反应条件下,这些α-取代的丙烯醛A - 2可以轻松转化为α-亚甲基酯A - 4,然后可以进一步转化为相应的α-酮酸酯A - 5。该方法还可用于制备α-亚甲基内酯B - 4,具有各种环尺寸的α-亚甲基内酰胺和α-酮内酯B - 5。
    DOI:
    10.1016/j.tet.2004.04.013
  • 作为产物:
    描述:
    5-oxo-3,3-dimethyl-2-methylenehexanalsodium chloritesodium dihydrogenphosphate2-甲基-2-丁烯 作用下, 以 叔丁醇 为溶剂, 反应 2.5h, 以72%的产率得到2-(1,1-dimethyl-3-oxobutyl)acrylic acid
    参考文献:
    名称:
    二溴甲烷作为有机合成中的一碳源:一种从相应的末端烯烃制备环状和无环α-亚甲基或α-酮酸衍生物的通用方法
    摘要:
    将单取代的烯烃A - 1进行臭氧分解,然后与CH 2 Br 2 -Et 2 NH的预热混合物反应,可得到高产率的α-取代的丙烯醛A - 2。在非常温和的反应条件下,这些α-取代的丙烯醛A - 2可以轻松转化为α-亚甲基酯A - 4,然后可以进一步转化为相应的α-酮酸酯A - 5。该方法还可用于制备α-亚甲基内酯B - 4,具有各种环尺寸的α-亚甲基内酰胺和α-酮内酯B - 5。
    DOI:
    10.1016/j.tet.2004.04.013
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文献信息

  • Novel copolymer, photoresist compositions thereof and deep UV bilayer system thereof
    申请人:ARCH SPECIALTY CHEMICALS, INC.
    公开号:US20040137362A1
    公开(公告)日:2004-07-15
    Novel copolymers suitable for forming the top layer photoimagable coating in a deep UV, particularly a 193 nm and 248 nm, bilayer resist system providing high resolution photolithography. Chemically amplified photoresist composition and organosilicon moieties suitable for use in the binder resin for photoimagable etching resistant photoresist composition that is suitable as a material for use in ArF and KrF photolithography using the novel copolymers.
    适用于在深紫外(尤其是 193 纳米和 248 纳米)双层抗蚀剂体系中形成顶层光致抗蚀涂层的新型共聚物,可提供高分辨率光刻技术。适用于粘合剂树脂中的化学放大光刻胶组合物和有机分子,该粘合剂树脂适用于使用新型共聚物的 ArF 和 KrF 光刻技术。
  • US6916543B2
    申请人:——
    公开号:US6916543B2
    公开(公告)日:2005-07-12
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