LUMO含量低的共轭分子对开发空气稳定的n型有机半导体提出了要求。在本文中,我们报道了一种新的A‐D‐A′‐D‐A共轭分子(D
APDCV),其中以重氮杂
戊烯(DAP)和二
氰基亚
乙烯基为电子接受单元。理论和电
化学研究均表明,在共轭分子中掺入DAP单元可有效降低LUMO能级。因此,薄膜的D
APDCV显示n型半导体与电子迁移率高达行为0.16厘米2个⋅V -1 ⋅s -1氮气氛下热处理后2气氛。另外,D
APDCV的薄膜还示出了在空气中的迁移率达到0.078厘米稳定n型传输性质2个⋅V -1 ⋅s -1。