2-(4-cyclohexyl-butyl)-thiophene | 1367625-59-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 杂芳族化合物
• 英文名称: 2-(4-cyclohexyl-butyl)-thiophene
• 英文别名: 2-(4-Cyclohexylbutyl)thiophene
• CAS: 1367625-59-9
• 化学式: C₁₄H₂₂S
• 分子量: 222.395
• InChiKey: KXZVKNQLRWMETM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.1
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.71
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(4-cyclohexyl-butyl)-thiophene 、 2-溴-5-(5-噻吩-2-基噻吩-2-基)噻吩 在 正丁基锂 、 三丁基氯化锡 、 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以1.54 g的产率得到5-(4-cyclohexyl-butyl)-[2,2';5',2'';5'',2''']-quaterthiophene
  参考文献：
  名称：

  高可靠有机薄膜晶体管的分子半导体设计中的H-聚集策略

  摘要：

  设计了四个新的带有端基的四噻吩衍生物，它们由二环己基乙基（DCE4T），二环己基丁基（DCB4T），环己基乙基（CE4T）和环己基丁基（CB4T）组成。所有材料在普通有机溶剂中均显示出高溶解度。紫外可见吸收测量表明，具有不对称取代的环己基端基（CE4T和CB4T）的四噻吩衍生物更喜欢H型聚集，而具有对称取代的环己基端基（DCE4T和DCB4T）的四噻吩衍生物更喜欢J型聚集。通过掠入射宽角X射线散射（GIWAXS）测量分析了新的四噻吩衍生物的分子结构相关堆积（H或J）。包含不对称分子CE4T和CB4T的设备的场效应迁移率非常高，高于10−2 cm 2 V -1 s -1，由于H聚集，而结合了对称分子DCE4T和DCB4T的器件的场效应迁移率很差，低于10 −4 cm 2 V -1 s -1，由于J聚合。更重要的是，薄膜中的H聚集在旋涂薄膜中提供了稳定的晶体形态，因此，使用环己基化的四噻吩的薄

  DOI：

  10.1002/adfm.201002367
• 作为产物：
  描述：

  2-溴噻吩 、 (4-溴丁基)-环己烷 在 magnesium 、 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 2.0h， 以40.7%的产率得到2-(4-cyclohexyl-butyl)-thiophene
  参考文献：
  名称：

  高可靠有机薄膜晶体管的分子半导体设计中的H-聚集策略

  摘要：

  设计了四个新的带有端基的四噻吩衍生物，它们由二环己基乙基（DCE4T），二环己基丁基（DCB4T），环己基乙基（CE4T）和环己基丁基（CB4T）组成。所有材料在普通有机溶剂中均显示出高溶解度。紫外可见吸收测量表明，具有不对称取代的环己基端基（CE4T和CB4T）的四噻吩衍生物更喜欢H型聚集，而具有对称取代的环己基端基（DCE4T和DCB4T）的四噻吩衍生物更喜欢J型聚集。通过掠入射宽角X射线散射（GIWAXS）测量分析了新的四噻吩衍生物的分子结构相关堆积（H或J）。包含不对称分子CE4T和CB4T的设备的场效应迁移率非常高，高于10−2 cm 2 V -1 s -1，由于H聚集，而结合了对称分子DCE4T和DCB4T的器件的场效应迁移率很差，低于10 −4 cm 2 V -1 s -1，由于J聚合。更重要的是，薄膜中的H聚集在旋涂薄膜中提供了稳定的晶体形态，因此，使用环己基化的四噻吩的薄

  DOI：

  10.1002/adfm.201002367