bromacetate de tetrahydropyrannyle | 74266-27-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 氧烷类
• 英文名称: bromacetate de tetrahydropyrannyle
• 英文别名: Oxan-2-yl bromoacetate；oxan-2-yl 2-bromoacetate
• CAS: 74266-27-6
• 化学式: C₇H₁₁BrO₃
• 分子量: 223.067
• InChiKey: ZGMNAOBAJHPZAI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  259.1±30.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.49±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.8
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.86
• 拓扑面积：
  35.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二苯甲酮 、 bromacetate de tetrahydropyrannyle 在 mercury dichloride 、 锌 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Bogavac, M.; Arsenijevic, L.; Arsenijevic, V., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1980, vol. 2, # 3-4, p. 145 - 147

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  3,4-二氢-2H-吡喃 、 溴乙酸 以 苯 为溶剂， 反应 0.5h， 生成 bromacetate de tetrahydropyrannyle
  参考文献：
  名称：

  Bogavac, M.; Arsenijevic, L.; Arsenijevic, V., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1980, vol. 2, # 3-4, p. 145 - 147

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Verfahren zur Herstellung von Acemetacin
  申请人：Troponwerke GmbH & Co. KG

  公开号：EP0087655A1

  公开（公告）日：1983-09-07

  Die vorliegende Erfindung betrifft Indolderivate der Formel (I) in welcher X für -COO- oder -CONH- und R für eine Tetrahydrofuran-2-yl-, eine Tetrahydropyran-2-yl-, eine Alkoxybenzyl- oder eine gerade oder verzweigte Alkylgruppe steht, die gegebenenfalls durch eine Hydroxylgruppe substituiert sein kann oder X-R gemeinsam einen Oxazolinring bilden, der durch Alkylgruppen substituiert sein kann, sowie ihre mit Basen gebildeten pharmazeutisch unbedenklichen Salze. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der neuen Indolderivate gemäß Formel (I) und ihre Verwendung als Arzneimittel, insbesondere bei der 3ekämpfung von entzündungsbedingten Erkrankungen sowie zur Herstellung von Acemetacin.

  本发明涉及式 (I) 的吲哚衍生物 其中 X 代表-COO-或-CONH-，以及 R为四氢呋喃-2-基、四氢吡喃-2-基、烷氧基苄基或直链或支链烷基，可任选被羟基取代，或 X-R 共同形成可被烷基取代的噁唑啉环、 以及它们与碱形成的药学上可接受的盐。本发明还涉及根据式（I）制备新的吲哚衍生物的工艺及其作为药物的用途，特别是用于防治炎症相关疾病和制备阿西美辛。
• Resist material and process for forming pattern using the same
  申请人：WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES LTD

  公开号：EP0476865A1

  公开（公告）日：1992-03-25

  A resist material of chemical amplified type comprising (a) a polymer such as a polymer of 1-methylcycloalkyl 4-ethenylphenoxyacetate and 4-hydroxystyrene, etc., (b) a photo-sensitive compound capable of generating an acid when exposed to light, and (c) a solvent for dissolving both the components (a) and (b) is excellent in heat resistance and adhesiveness to substrates, capable of maintaining stable pattern dimension from exposure to light to heat treatment, and capable of forming patterns using deep ultraviolet light, KrF excimer laser light, etc.

  一种化学放大型抗蚀剂材料，包括（a）聚合物，如 1-甲基环烷基 4-乙烯基苯氧乙酸酯和 4-羟基苯乙烯等的聚合物、(c) 用于溶解(a)和(b)两种成分的溶剂。这种抗蚀剂具有优异的耐热性和与基材的粘合性，从受光到热处理都能保持稳定的图案尺寸，并能使用深紫外线、KrF 准分子激光等形成图案。
• Resist compositions, their preparation and use for patterning processes
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：EP0908783A1

  公开（公告）日：1999-04-14

  A resist composition comprising (A) an organic solvent; (B) at least two polymers with weight average molecular weights of 1,000-500,000, which have at least one type of acid labile group and are crosslinked within a molecule and/or between molecules with crosslinking groups having C-O-C linkages; and (C) a photoacid generator is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity, resolution, and plasma etching resistance, and provides resist patterns of outstanding thermal stability and reproducibility. Patterns obtained with this resist composition are less prone to overhanging and have excellent dimensional controllability. The resist composition is suitable as a micropatterning material for VLSI fabrication because it has a low absorption at the exposure wavelength of a KrF excimer laser, thus enabling the easy formation of a finely defined pattern having sidewalls perpendicular to the substrate.

  一种抗蚀剂组合物包含（A）一种有机溶剂；（B）至少两种重量平均分子量在 1,000-500,000 之间的聚合物，这些聚合物具有至少一种酸易变基团，并在分子内和/或分子之间用具有 C-O-C 连接的交联基团交联；以及（C）一种光酸发生器，这种光酸发生器对高能辐射敏感，具有出色的灵敏度、分辨率和抗等离子刻蚀能力，并能提供具有出色热稳定性和可重复性的抗蚀图案。使用这种抗蚀剂组合物获得的图案不易悬空，具有极佳的尺寸可控性。这种抗蚀剂组合物适合用作超大规模集成电路制造中的微图案材料，因为它在 KrF 准分子激光的曝光波长下具有低吸收率，从而能够轻松形成具有垂直于基底侧壁的精细图案。
• Novel styrene polymer, chemically amplified positive resist composition and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20030013832A1

  公开（公告）日：2003-01-16

  A styrene polymer represented by formula (1), terminated with P, and having a weight average molecular 1 wherein R is OH or OR 3 , R 1 is H or CH 3 , R 2 is alkyl, R 3 is acid labile group, x≧0, y>0, k≧0, m≧0, n>0, 0

  由式（1）代表的苯乙烯聚合物，以 P 结尾，其重量平均分子为 1 其中 R 是 OH 或 OR 3 , R 1 是 H 或 CH 3 , R 2 是烷基，R 3 是酸性基团，x≧0, y>0, k≧0, m≧0, n>0, 0
• BOGAVAC M.; ARSENIJEVIC L.; ARSENIJEVIC V., BULL. SOC. CHIM. FRANCE, 1980, PART 2, NO 3-4, 145-146
  作者：BOGAVAC M.、 ARSENIJEVIC L.、 ARSENIJEVIC V.

  DOI：——

  日期：——