各种电子供体和受体取代的(NO 2,CN,
氯,H,OCH 3,NH 2)p -苯基
乙烯基- ë -
噻吩(1-6)的合成和取代基依赖的光学特性(偶极矩,跃迁偶极矩,使用Solvatochromism和密度泛函理论研究了振荡器强度,光学带隙,超极化率)。结果表明,在吸电子的对苯基取代基(NO 2,CN,Cl)存在下,
噻吩充当弱电子给体,而在给电子的对苯基取代基(OCH)存在下,
噻吩充当弱电子受体。3,NH 2)。与
乙烯基噻吩4相比,通过增加对苯基取代基的给电子或吸电子能力,减小了HOMO-LUMO能带隙。从激发态偶极矩计算可知,硝基和
氨基化合物1和6的激发态高度偶极,而化合物2-5则显示非极性激发态。与
乙烯基噻吩4相比,第一超极化性(β)在被强吸电子或强供电子的对苯基取代基取代时增加。发现一个大的β值p -
硝基苯基
乙烯基- Ë
噻吩和p -
氨基苯基
乙烯基- Ë -
噻吩。总体而言,这些研究为理解苯