bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)zinc | 1112988-91-6

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)zinc
• 英文别名: bis(hexafluoroacetylacetonato)-N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine zinc；bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-petanedionato)(N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)zinc
• CAS: 1112988-91-6；252920-43-7
• 化学式: C₁₆H₁₈F₁₂N₂O₄Zn
• 分子量: 595.701
• InChiKey: IASADBFFMYTMEJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  四甲基乙二胺 、 六氟乙酰丙酮 、 zinc nitrate hexahydrate 在 正丙胺 作用下， 以 乙醇 、 水 为溶剂， 以63.2%的产率得到bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)zinc
  参考文献：
  名称：

  Transparent conducting oxide thin films and related devices

  摘要：

  提供了具有降低铟含量和/或增加锡含量的透明导电氧化物薄膜。此外，还提供了用于生产该薄膜的工艺、用于生产该薄膜的前体，以及包括该透明导电氧化物薄膜的显示面板和有机电致发光器件的透明导电基板。

  公开号：

  US08138364B2

文献信息

• MOCVD-Derived Highly Transparent, Conductive Zinc- and Tin-Doped Indium Oxide Thin Films:  Precursor Synthesis, Metastable Phase Film Growth and Characterization, and Application as Anodes in Polymer Light-Emitting Diodes
  作者：Jun Ni、He Yan、Anchuang Wang、Yu Yang、Charlotte L. Stern、Andrew W. Metz、Shu Jin、Lian Wang、Tobin J. Marks、John R. Ireland、Carl R. Kannewurf

  DOI：10.1021/ja044643g

  日期：2005.4.1

  stabilities and vapor phase transport properties of these new complexes are considerably greater than those of conventional solid zinc metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) precursors. One of the complexes in the series, bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato)(N,N'-diethylethylenediamine)zinc, is particularly effective in the growth of thin films of the transparent conducting oxide Zn-In-Sn-O

  可以在一步反应中合成双 (六氟乙酰丙酮) 锌 [Zn(hfa)(2).(diamine)] 的四种二胺加合物。单晶 X 射线衍射研究揭示了单体的六坐标结构。这些新配合物的热稳定性和气相传输性能比传统的固体锌金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前驱体的热稳定性和气相传输性能要好得多。该系列中的一种复合物，双(1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-五二氢)(N,N'-二乙基乙二胺)锌，对薄膜的生长特别有效。透明导电氧化物 Zn-In-Sn-O (ZITO) 由于其优异的挥发性和 64 摄氏度的低熔点。 -压力MOCVD。这些薄膜表现出高达 2900 S/cm 的电导率和光学透明度，可与商业掺锡氧化铟 (ITO) 薄膜相媲美或更高。标称成分为 ZnIn(2.0)Sn(1.5)O(z)() 的 ZITO 薄膜用于制造聚合物发光二极管。这些设备的光输出和电流效率比基于 ITO 的控制设备高出近 70%。
• Phase relation and molecular motions of mixed-ligand complex [Zn(hfac)2(tmen)] as studied by calorimetry and 1H NMR measurement
  作者：T.M Yoshida、K Wada、M Oguni、T Chiba、Y Fukuda

  DOI：10.1016/s0022-3697(99)00202-4

  日期：1999.11

  state: The temperature, enthalpy and entropy of the fusion were Tfus=(370±1) K, ΔfusH=(2.2±0.1) kJ mol−1 and ΔfusS=(5.8±0.3) J K−1 mol−1, respectively. The small entropy was discussed in relation to the low globularity in the shape of the complex molecule. High- and low-temperature stable crystalline phases (II and III) were found: The temperature, enthalpy and entropy of the fusion from the phase II were

  摘要 分子混合配体复合物 [Zn(hfac)2(tmen)] 的热容在 13 到 383 K 之间的温度范围内使用绝热量热计和质子磁自旋晶格弛豫时间（T1、T1ρ 和 T1D ) 在 130 到 330 K 的范围内测量，其中 hfac 和 tmen 分别表示六氟乙酰丙酮和 N,N,N',N'-四甲基乙二胺。发现定向无序晶相，称为相 I，仅出现在过冷亚稳态中：融合的温度、焓和熵为 Tfus=(370±1) K，ΔfusH=(2.2±0.1) kJ mol-1 和 ΔfusS=(5.8±0.3) JK-1 mol-1。讨论了与复杂分子形状的低球度相关的小熵。发现高温和低温稳定的结晶相（II和III）：II相融合的温度、焓和熵为Tfus=（375±1）K，ΔfusH=（24.32±0.02）kJ mol− 1 和 ΔfusS=(65.4±0.1) JK-1 mol-1，分别。III-II 相变的温度、焓和熵为