(2-ethylhexyl)dimethylsilane | 1209469-26-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 英文名称: (2-ethylhexyl)dimethylsilane
• 英文别名: 2-Ethylhexyl(dimethyl)silane
• CAS: 1209469-26-0
• 化学式: C₁₀H₂₄Si
• 分子量: 172.386
• InChiKey: OOVLRKIFCLWQTC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.69
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(undec-10-en-1-yl)thiophene 、 (2-ethylhexyl)dimethylsilane 在 铂(0)-1,3-二乙烯-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 以82%的产率得到2-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)thiophene
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n
• 作为产物：
  描述：

  溴代异辛烷 、 二甲基一氯硅烷 在 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 (2-ethylhexyl)dimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n