在所有先前报道的4,8-二
噻吩并苯并[1,2- b:4,5- b ']二
噻吩(DTBDT)基π共轭聚合物中,聚合和二维(2D)共轭扩展途径均通过
噻吩分别与DTBDT的苯基核稠合并且通过
噻吩与DTBDT的苯核稠合(BDT定向的DTBDT)。在此,为了发现在供体-受体交替聚合物结构中引入DTBDT基序的另一种可能方法,我们首先报告了三种新的π共轭聚合物P1,P2和P3的合成,并以修改后的DTBDT构造块作为供体单元。这种修饰导致聚合物分别通过与DTBDT的苯核连接的
噻吩和与DTBDT的苯核稠合的
噻吩(二
噻吩基苯定向的DTBDT)产生新的聚合和2D共轭延伸途径。尽管DTBDT的这些修饰的聚合途径导致沿二
噻吩基苯方向的离域共轭较少,但光学和电
化学性质表明,二
噻吩基苯定向的DTBDT的电子给体性质足以产生强大的分子内电荷转移(ICT)并保持较低的高空气稳定性的最高占据分子轨道(HOMO)能级(−5.21至-5