通过使用包含在两端被
二茂铁基氧化还原单元封端的低聚
呋喃和低聚
噻吩的混合价系统,研究了低聚
呋喃和低聚
噻吩中电荷的离域化程度和结合程度。使用电
化学,光谱和计算工具,我们发现在
二茂铁封端的低聚
呋喃中有很强的电荷离域作用,它比相应的低聚
噻吩系统更强。光谱研究表明,低聚
呋喃桥联系统的电子耦合积分(H ab)大约高30%至50%,这表明
二茂铁单元与低聚
呋喃之间的能量匹配更好。的距离衰减常数(阻尼系数),β,为oligofurans(0.066类似-1)和低聚
噻吩(0.070甲-1),这表明桥中的离域化程度相似,尽管寡聚
呋喃中的HOMO-LUMO间隙较高。计算研究表明,
呋喃桥联体系中的离域程度比
噻吩桥联体系中的离域范围大一些,这与寡聚
呋喃相比,寡聚
噻吩的刚性和芳香性要低得多是一致的。低聚
呋喃中的高电荷离域化,再加上以前报道的基于低聚
呋喃的材料的强荧光,高迁移率和高刚性,使其成为有机电子应用的有吸引力的候选者。