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tetrabutylammonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(pivaloyloxy)propanesulfonate | 956470-41-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
tetrabutylammonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(pivaloyloxy)propanesulfonate
英文别名
2-(2,2-Dimethylpropanoyloxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate;tetrabutylazanium
tetrabutylammonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(pivaloyloxy)propanesulfonate化学式
CAS
956470-41-0
化学式
C8H10F5O5S*C16H36N
mdl
——
分子量
555.691
InChiKey
VCRWNUFMFMMELI-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.65
  • 重原子数:
    36
  • 可旋转键数:
    16
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.96
  • 拓扑面积:
    91.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    10

文献信息

  • PATTERN-FORMING METHOD, AND COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
    申请人:MATSUMURA Yushi
    公开号:US20120285929A1
    公开(公告)日:2012-11-15
    Providing a method for forming a pattern capable of forming a resist underlayer film that can be easily removed using an alkali liquid while maintaining etching resistance is objected to. Provided by the present invention is a method for forming a pattern, the method including: (1) forming a resist underlayer film on a substrate using a composition for forming a resist underlayer film containing a compound having an alkali-cleavable functional group; (2) forming a resist pattern on the resist underlayer film; (3) forming a pattern on the substrate by dry etching of the resist underlayer film and the substrate, using the resist pattern as a mask; and (4) removing the resist underlayer film with an alkali liquid.
  • US7514202B2
    申请人:——
    公开号:US7514202B2
    公开(公告)日:2009-04-07
  • US8859191B2
    申请人:——
    公开号:US8859191B2
    公开(公告)日:2014-10-14
  • US9046769B2
    申请人:——
    公开号:US9046769B2
    公开(公告)日:2015-06-02
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