摘要:
最近,噻吩并烯的开发取得了进展,生产出了许多高性能、空气稳定的有机半导体材料。尽管计算研究前景广阔,但五噻吩并烯(T5)薄膜器件的性能却很差,这可能是由于高迁移率各向异性和薄膜形态不佳造成的。我们合成了 2,6-双烷基-五噻吩并烯,通过溶液加工的方法来改善基于 T5 器件的微观结构。噻吩并[3,2-b]噻吩前体通过δ-位的去质子化引入了可溶性侧基。通过钯催化双(三丁基硫化锡)(Bu3SnSSnBu3)偶联反应引入硫桥,然后通过 CuCl2 氧化偶联最终闭环。与硫化物淬灭 LiâBr 交换法相比,这种方法能获得更高的纯度和产率。紫外-可见光谱和荧光发射光谱显示出â10 nm的浴色偏移,表明烷基链的引入减小了HOMOâLUMO间隙。X 射线分析得出了 2,6-双辛基和 2,6-双十二烷基取代 T5s(分别为 C8-T5 和 C12-T5)的单胞。C8-T5 生长正方晶胞,晶格参数为 a = 1.15 nm、b = 0.43 nm 和 c = 3.05 nm;C12-T5 生长单斜晶胞(c-唯一性),单位晶胞参数为 a = 1.10 nm、b = 0.42 nm、c = 3.89 nm 和 δ³ = 92.9°。这两种材料都能生长出大尺寸(大于 50 ¼m)、带刻面的单晶体,这些单晶体在显微镜下由交替的半导体核心层和绝缘取代层组成。