摘要:
                                我们研究了用化学传输反应法生长的 Zn1-xCdxAl2Se4 单晶的光致发光光谱、晶体结构和光学能隙。对观察到的 X 射线衍射图样的分析表明,这些晶体在整个成分中具有黄铜矿缺陷结构。随着 x 值的增加,晶格常数 a 从 x = 0.0 时的 5.5561 A(ZnAl2Se4)增加到 x = 1.0 时的 5.6361 A(CdAl2Se4),而晶格常数 c 则从 x = 0.0 时的 10.8890 A 减小到 x = 1.0 时的 10.7194 A。13 K 时的光能隙范围为 3.082 eV(x = 1.0)至 3.525 eV(x = 0.0)。光学能隙的温度依赖性与 Varshni 方程十分吻合。在 0.0 ⩽ x ⩽ 1.0 时,我们在 Zn1-xCdxAl2Se4 中观察到两个发射带,其中包括一个强蓝色发射带和一个弱宽发射带,它们是由供体-受体对重组引起的。根据光致发光热淬灭分析和光诱导电流瞬态光谱的测量结果,我们提出了 Zn1-xCdxAl2Se4 辐射机制的能带方案。所提出的能带模型允许我们分配所观察到的发射带。