4-羟基-苯基-三苯基溴化磷 | 22883-70-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 4-羟基-苯基-三苯基溴化磷
• 英文名称: (4-hydroxyphenyl)triphenylphosphonium bromide
• 英文别名: triphenyl(4-hydroxyphenyl)phosphonium bromide；(4-Hydroxyphenyl)triphenylphosphoniumbromide；(4-hydroxyphenyl)-triphenylphosphanium;bromide
• CAS: 22883-70-1
• 化学式: Br*C₂₄H₂₀OP
• 分子量: 435.3
• InChiKey: OJBUAYQWESRPQI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.02
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-羟基-苯基-三苯基溴化磷 在 potassium tert-butylate 、 水 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 3.17h， 以95%的产率得到(4-hydroxyphenyl)diphenylphosphine oxide
  参考文献：
  名称：

  使用过量的t-BuOK和化学计量的水通过季phospho两性离子的碱水解合成叔膦氧化物

  摘要：

  摘要 季芳基鏻两性离子轴承COO的水解-和那些在从轴承AC或OH在芳基环的相应的盐原位产生通过使用过量吨-BuOK和化学计量的水，得到的叔芳基膦氧化物在中度至良好产率，相反，这些水解在NaOH水溶液中的两性离子或盐，主要提供氧化膦，但失去了芳基。在t- BuOK /水条件下，部分以磷烯醇phospho形式存在的羰基稳定化的烷基化物Ph 3 P = CHCOR（R = Ph，Me和OEt）的水解更倾向于生成Ph 2 P（O）CH 2 COR。Ph 2 P（O）CH 2的进一步还原PhSiH 3的COMe可以43％的收率制备Ph 2 PCH 2 COMe。

  DOI：

  10.1080/00397911.2020.1868006
• 作为产物：
  描述：

  alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 生成 4-羟基-苯基-三苯基溴化磷
  参考文献：
  名称：

  Horner; Hoffmann, Chemische Berichte, 1958, vol. 91, p. 50

  摘要：

  DOI：

文献信息

• PHOSPHONIUM COMPOUND, EPOXY RESIN COMPOSITION INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE PREPARED FROM THE SAME
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD.

  公开号：US20160115184A1

  公开（公告）日：2016-04-28

  A phosphonium compound, an epoxy resin composition, a method of preparing a phosphonium compound, and a semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition, the compound being represented by Formula 1:

  一种磷铵化合物，一种环氧树脂组合物，一种制备磷铵化合物的方法，以及用环氧树脂组合物封装的半导体器件，该化合物由式子1表示。
• 鏻化合物、制备其的方法、包括其的环氧树脂组合物以及由其制备的半导体装置
  申请人：三星SDI株式会社

  公开号：CN105541914A

  公开（公告）日：2016-05-04

  一种鏻化合物、制备其的方法、包括其的环氧树脂组合物以及由其制备的半导体装置。鏻化合物由下式1表示，其中各基团如文中所限定。所述鏻化合物具有高储存稳定性，能够加速固化环氧树脂和在低温下固化环氧树脂，同时使包含所述化合物、环氧树脂、固化剂等的混合物的粘度改变降到最低，甚至在所要时间和温度范围内固化，从而确保在高温下固化之后获得的环氧树脂组合物不会由于流动性降低而展现出模塑产物的可模塑性、机械特性、电特性以及化学特性的任何劣化。[式1]
• 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 장치
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD. 삼성에스디아이 주식회사(119980018058) Corp. No ▼ 110111-0394174BRN ▼124-81-31282

  公开号：KR20170010961A

  公开（公告）日：2017-02-02

  본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포스포늄계 화합물에 관한 것이다: [화학식 1] (상기 화학식 1에서, R, R, R, 및 R 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1~C30의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 방향족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1~C30의 탄화수소기이고, X는 S, NH, 또는 O이고, Y는 SH, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 방향족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1~C30의 탄화수소기이고, 최종적으로 Y에서 1가 양이온(H+)이 제거된 것이다).

  该专利涉及一种磷杂环化合物，其表示为化学式1：[化学式1]（在上述化学式1中，R、R、R和R分别独立地表示取代或未取代的C1~C30脂肪烃基、取代或未取代的C6~C30芳香烃基或含有取代或未取代的C1~C30碳氢基的杂原子，X表示S、NH或O，Y表示SH、取代或未取代的C6~C30芳香烃基或含有取代或未取代的C1~C30碳氢基，最终Y中的1价阳离子（H+）已被去除）。
• 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD. 삼성에스디아이 주식회사(119980018058) Corp. No ▼ 110111-0394174BRN ▼124-81-31282

  公开号：KR20160117871A

  公开（公告）日：2016-10-11

  본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포스포늄계 화합물에 관한 것이다: [화학식 1] (상기 화학식 1에서, R, R, R, 및 R 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1~C30의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 방향족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1~C30의 탄화수소기이고, X 및 X 은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1~C30의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 방향족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1~C30의 탄화수소기이고, Y 및 Y는 산소원자(O)이고, Y, 및 Y 는 각각 독립적으로 산소원자(O), 치환 또는 비치환된 C1~C30의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 방향족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1~C30의 탄화수소기이고, Z는 C1~C10의 알콕시기, 불소원자(F), 또는 히드록시기(-0H)이고, l, m, 및 n은 각각 독립적으로 0 또는 1이고, l, m, 및 n 중 2개 이상이 0인 경우를 제외한다.)

  该专利涉及一种被表示为以下化学式1的磷系化合物：[化学式1]（在上述化学式1中，R、R、R和R分别独立地是取代或未取代的C1~C30脂肪烃基、取代或未取代的C6~C30芳香烃基或含有取代或未取代的C1~C30碳氢基的杂原子，X和X分别独立地是取代或未取代的C1~C30脂肪烃基、取代或未取代的C6~C30芳香烃基或含有取代或未取代的C1~C30碳氢基的杂原子，Y和Y是氧原子（O），Y和Y分别独立地是氧原子（O）、取代或未取代的C1~C30脂肪烃基、取代或未取代的C6~C30芳香烃基或含有取代或未取代的C1~C30碳氢基的杂原子，Z是C1~C10的烷氧基、氟原子（F）或羟基（-OH），l、m和n分别独立地是0或1，但不包括l、m和n中有两个或更多个是0的情况。）
• PHOSPHONIUM COMPOUND, EPOXY RESIN COMPOSITION INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE PREPARED USING THE SAME
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD.

  公开号：US20170018473A1

  公开（公告）日：2017-01-19

  A phosphonium compound, an epoxy resin composition including the same, a semiconductor device encapsulated with the same, and a method of encapsulating a semiconductor device, the phosphonium compound being represented by Formula 1:

  一种膦盐化合物，包括该膦盐化合物的环氧树脂组合物，用该膦盐化合物封装的半导体器件，以及封装半导体器件的方法，其中该膦盐化合物由式1表示：