摘要 CuBi 2 O 4 /TiO 2 异质结在日光下光催化还原
铬酸盐离子的实验成功。CuBi 2 O 4 用
硝酸法制备,进行了光电
化学表征。该氧化物在
草酸存在下通过消耗空穴对光腐蚀是稳定的。光吸收促进了具有非常负电位 (-1.74 V SCE ) 的敏化剂 (CuBi 2 O 4 ) 导带中的电子参与电子与 HCrO 4 - 的交换。增强的活性是由于活化的CuBi 2 O 4 电子注入TiO 2 -CB (-0.97 V SCE )。半导体CuBi 2 O 4 的带隙为1.50 eV,具有直接光学跃迁。该化合物是p型半导体,具有-0.39 V SCE的平带电位和0.18 eV的活化能。电
化学阻抗谱用于研究半导体/电解质界面现象。异质结上的光活性大大增强。在 30 mg (Cr (VI)) 中的浓度为 30 mg (Cr (VI)) 在 pH ~ 4 和 1 mg/mL 的剂量下,在不到