4-ferrocenylbenzylbromide | 651034-19-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物
• 英文名称: 4-ferrocenylbenzylbromide
• 英文别名: 1-(bromomethyl)-4-cyclopenta-2,4-dien-1-ylbenzene;cyclopenta-1,3-diene;iron(2+)
• CAS: 651034-19-4
• 化学式: C₁₇H₁₅BrFe
• 分子量: 355.057
• InChiKey: QIVJSBXFACIFBL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.37
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.06
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-ferrocenylbenzylbromide 、 potassium thioacetate 在 水 、 乙醚 、 magnesium sulfate 、 silica 、 petroleum ether diethyl ether 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 16.0h， 以affording a yellow solid (1.3 g, 90%)的产率得到4-[(S-Acetylthio)methyl]phenylferrocene
  参考文献：
  名称：

  High density non-volatile memory device

  摘要：

  本发明提供了一种新型高密度存储器件（图3），可进行电子寻址，以实现有效的读写，提供高密度存储（102），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。该设备本质上是可锁存的，具有缺陷容忍能力，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该设备包括与一个存储介质电性耦合的固定电极，该存储介质具有多种不同的可区分的氧化态，其中通过向存储介质中加入或撤回一个或多个电子来将数据存储在该氧化态中。

  公开号：

  US07042755B1
• 作为产物：
  描述：

  4-ferrocenylbenzaldehyde - dichloromethane (1/1) 、 三溴化磷 以 二氯甲烷 为溶剂， 以94%的产率得到4-ferrocenylbenzylbromide
  参考文献：
  名称：

  新颖二茂铁基聚亚苯基的合成和表征†

  摘要：

  这项工作描述了具有多达四个二茂铁基部分的一系列新的聚亚苯基的合成和表征。合成途径涉及许多新型前体的制备。由二-二茂铁基丙烷和二酮的两次Knoevenagel缩合生成的环戊二烯酮与适当取代的乙炔一起用于[2 + 4] Diels-Alder环加成反应。分离出的化合物中有13种。它是迄今为止最大的二茂铁基负载的聚芳烃（PAH）。制备通过乙炔基-Fc和碘- HBC之间的Sonogashira交叉偶联反应，它包括一个六关节周围-hexabenzocoronene（HBC）核连接的经由 乙炔到二茂铁基单元（Fc）。讨论了二茂铁基-聚亚苯基和完全共轭的13的电化学和吸收性能。通过超瑞利散射技术确定的13的NLO数据与文献中类似的基于富勒基的化合物的NLO数据进行了比较。

  DOI：

  10.1039/c2dt30542a

文献信息

• High density memory device
  申请人：Bocian F. David

  公开号：US20060209587A1

  公开（公告）日：2006-09-21

  This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型的高密度存储器件，具有电学可寻址性，可有效地进行读写操作，提供高存储密度（例如，1015比特/立方厘米），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该器件包括一个固定电极，与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合，通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。