已通过合成方法制备了一系列噻吩稠合的镍二噻吩镍配合物,该方法允许将外围的芳基加到二噻吩配体的稠合噻吩上,从而提供了对二噻吩核进行一系列结构和电子修饰的途径。阴离子配合物的X射线结构研究表明,周围的芳基环与二硫代烯芯几乎完全共面,并且可以与N-甲基吡啶鎓阳离子形成π堆积柱。密度泛函理论计算表明,前沿轨道电子密度显着离域到了周围的芳基环中。该复合物在1076–1160 nm范围内显示出可调的,强烈的近红外(NIR)吸收,摩尔吸收率高达25100 M –1 cm解决方案中为–1。这些系统的电子可调性以及理想的固态包装布置表明,其作为光电子应用中的近红外吸收材料具有巨大的潜力。