triphenylsulfonium 2-(2-chloroacetoxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate | 1126206-28-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: triphenylsulfonium 2-(2-chloroacetoxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
• 英文别名: Triphenylsulfonium 2-(2-chloroacetoxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate；2-(2-chloroacetyl)oxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate;triphenylsulfanium
• CAS: 1126206-28-7
• 化学式: C₅H₃ClF₅O₅S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 568.97
• InChiKey: AKAFXENQHXCGQC-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.62
• 重原子数：
  36
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  92.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  triphenylsulfonium 2-(2-chloroacetoxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate 、 sodium dehydrocholate 在 sodium iodide 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 15.0h， 以24%的产率得到triphenylsulfonium 2-{4-[4-(10,13-dimethyl-3,7,12-trioxo-hexadecahydro-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl)-pentanoyloxy]-acetoxy}-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel photoacid generators, resist compositons, and patterning processes

  摘要：

  公开号：

  EP2033966B1
• 作为产物：
  描述：

  triphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropanesulfonate 、 氯乙酰氯 在 吡啶 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 3.0h， 以92%的产率得到triphenylsulfonium 2-(2-chloroacetoxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel photoacid generators, resist compositons, and patterning processes

  摘要：

  公开号：

  EP2033966B1

文献信息

• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohashi Masaki

  公开号：US20100055608A1

  公开（公告）日：2010-03-04

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 1 -C 10 organic group, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为C1-C10有机基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Polymerizable anion-containing sulfonium salt and polymer, resist composition, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US08057985B2

  公开（公告）日：2011-11-15

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R2, R3 and R4 are C1-C10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C6-C18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R2, R3 and R4 may bond together to form a ring with S, A is a C1-C20 organic group, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供了一种具有公式（1）的可聚合阴离子含硫鎓盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成一个环，其中S，A为C1-C20有机基团，n为0或1。该硫鎓盐在高能辐射下产生非常强的磺酸。还提供了一种包含从硫鎓盐衍生的聚合物的抗蚀剂组合物。
• Movel photoacid generators, resist compositons, and patterning processes
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2033966A2

  公开（公告）日：2009-03-11

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation.         R1-COOCH(CF3)CF2SO3-H+     (1a)         R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3-H+     (1c) R1 is a C20-C50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生器在受到高能辐射后会生成式 (1a) 或 (1c) 的磺酸。 R1-COOCH(CF3)CF2SO3-H+ (1a) R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3-H+ (1c) R1 是具有类固醇结构的 C20-C50 碳氢基团。光酸发生器与树脂兼容，可以控制酸扩散，因此适合用于化学放大抗蚀剂组合物。
• US7670751B2
  申请人：——

  公开号：US7670751B2

  公开（公告）日：2010-03-02