avenalumic acid | 135754-92-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: avenalumic acid
• 英文别名: (2E,4E)-5-(4-hydroxyphenyl)penta-2,4-dienoic acid
• CAS: 135754-92-6
• 化学式: C₁₁H₁₀O₃
• 分子量: 190.199
• InChiKey: CYYTUYSFBHDJRH-ZPUQHVIOSA-N

物化性质

• 沸点：
  414.3±28.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.267±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  57.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

制备方法与用途

avelulamic酸是一种生物化学物质。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  avenalumic acid 在 草酰氯 、 氢氟酸 、 N,N-二甲基甲酰胺 作用下， 生成 2,4-dinitrophenyl (2E,4E)-5-(4'-hydroxyphenyl)pentadienoate
  参考文献：
  名称：

  芳基（2E，4E）-5-（4'-羟基苯基）戊二烯酸酯的解离碱水解中存在伸长的对氧乙烯酮中间体

  摘要：

  具有酸性离去基团的标题酯的碱性水解遵循E1cB机理，该机理涉及“超扩展”对-氧代乙烯酮中间体的参与。对于2,4-二硝基苯基酯动力学数据的水解，活化参数和中间体的捕集清楚地表明，解离途径携带了反应通量。表观二阶速率常数与离去基团的pK（a）的布朗斯德图的破坏表明，对于pK（a）大于约6的酯，反应机理从E1cB变为B（Ac）2。

  DOI：

  10.1021/jo0008439
• 作为产物：
  描述：

  methyl (2E,4E)-5-(4-hydroxyphenyl)penta-2,4-dienoate 在 甲醇 、 sodium hydroxide 作用下， 以99%的产率得到avenalumic acid
  参考文献：
  名称：

  [EN] COSMETIC OR PHARMACEUTICAL USE OF AVENANTHRAMIDE L
  [FR] UTILISATION COSMÉTIQUE OU PHARMACEUTIQUE D'AVÉNANTHRAMIDE L

  摘要：

  本发明一般涉及：燕麦三甲苯胺L或含有燕麦三甲苯胺L的燕麦提取物的化妆品或药用；燕麦三甲苯胺L或含有燕麦三甲苯胺L的燕麦提取物作为神经激肽-1受体NK1R拮抗剂；以及制备燕麦酸和/或燕麦三甲苯胺L的方法。

  公开号：

  WO2021175451A1

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。