N'-(tert-butyl)-N-ethylpropionimidamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N'-(tert-butyl)-N-ethylpropionimidamide
• 英文别名: N-ethyl-N'-tert-butyl-propionamidine；N-(1,1-Dimethylethyl)-Ninvertedexclamationmarka-ethylpropanimidamide；N-tert-butyl-N'-ethylpropanimidamide
• 化学式: C₉H₂₀N₂
• 分子量: 156.271
• InChiKey: UHBQRZPQMZBHGB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  24.4
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  rutheniumdichloridetricarbonyl 、 N'-(tert-butyl)-N-ethylpropionimidamide 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 13.0h， 以0.95 g的产率得到
  参考文献：
  名称：

  JP6429352

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  氯代叔丁烷 、 乙胺 、 丙腈 在 三氯化铁 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 以81%的产率得到N'-(tert-butyl)-N-ethylpropionimidamide
  参考文献：
  名称：

  挥发性液态liquid基钴的合成与表征

  摘要：

  制备了三种新的挥发性a基钴化合物：Co（t BuNC（R）NEt）2，R ＝ Me，Et和n-Bu。他们的特点是元素分析， 1 H NMR，X射线结构分析，熔点，蒸气压，汽化速率，热稳定性和化学反应性。发现它们干净蒸发，没有分解。其中两种在室温下为液体，可以更方便地进行制备，处理和纯化 经过 蒸馏。它们是高反应性的化合物，已经发现它们是用于钴金属，氮化钴和氧化钴的气相沉积的合适前体。一种新的合成方法使得可以方便且廉价地制备大量这些化合物。

  DOI：

  10.1039/b800712h

文献信息

• Chemical vapour deposition of thin films using metal amidinate precursors
  申请人：President and Fellows of Harvard College

  公开号：EP2857549A2

  公开（公告）日：2015-04-08

  The application discloses CVD of thin films employing amidinate complexes of the metals lithium, sodium, potassium, beryllium, calcium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum and the other lanthanide metals, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, manganese, rhenium, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, nickel, palladium, silver, Zinc, cadmium, tin, lead, antimony and bismuth as precursor. A novel cobalt precursor is also disclosed.

  该申请公开了采用锂、钠、钾、铍、钙、锶、钡、钪、钇、镧和其他镧系金属的脒基络合物的 CVD 薄膜、钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼、钨、锰、铼、铁、钌、钴、铑、镍、钯、银、锌、镉、锡、铅、锑和铋作为前体。此外，还公开了一种新型钴前体。
• RUTHENIUM COMPOUND, RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：EP3712159A1

  公开（公告）日：2020-09-23

  An object of the present invention is to provide a ruthenium compound having a high vapor pressure and having a lower melting point than conventionally known compounds, a raw material which is for forming a thin film and which contains the compound, and a method of producing a thin film, including a step of forming a thin film that contains ruthenium using the raw material. In order to achieve the above object, a ruthenium compound represented by a general formula described in the specification, a raw material which is for forming a thin film and which contains the ruthenium compound, and a method of producing a thin film using the raw material for forming a thin film are provided.

  本发明的目的是提供一种蒸汽压高且熔点低于传统已知化合物的钌化合物，一种用于形成薄膜且含有该化合物的原材料，以及一种生产薄膜的方法，包括使用该原材料形成含有钌的薄膜的步骤。为了实现上述目标，本发明提供了一种由说明书中所述通式表示的钌化合物、一种用于形成薄膜且含有该钌化合物的原材料，以及一种使用该原材料形成薄膜的方法。
• COBALT NITRIDE LAYERS FOR COPPER INTERCONNECTS AND METHODS FOR FORMING THEM
  申请人：President and Fellows of Harvard College

  公开号：EP2142682B1

  公开（公告）日：2014-12-03
• US7973189B2
  申请人：——

  公开号：US7973189B2

  公开（公告）日：2011-07-05
• US8461684B2
  申请人：——

  公开号：US8461684B2

  公开（公告）日：2013-06-11