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bis(2,5-dimethylpyrrolyl)bis(ethylmethylamino)zirconium | 1420707-48-7

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis(2,5-dimethylpyrrolyl)bis(ethylmethylamino)zirconium
英文别名
2,5-Dimethylpyrrol-1-ide;ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+);2,5-dimethylpyrrol-1-ide;ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+)
bis(2,5-dimethylpyrrolyl)bis(ethylmethylamino)zirconium化学式
CAS
1420707-48-7
化学式
C18H32N4Zr
mdl
——
分子量
395.703
InChiKey
WCMQVLMBXIUTIL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.54
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.56
  • 拓扑面积:
    4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2,5-二甲基吡咯tetrakis(ethylmethylamino)zirconium甲苯 为溶剂, 反应 1.0h, 以68%的产率得到bis(2,5-dimethylpyrrolyl)bis(ethylmethylamino)zirconium
    参考文献:
    名称:
    Group IV Metal Complexes For Metal-Containing Film Deposition
    摘要:
    揭示了具有一般公式(1)(R1nPyr)(R2nPyr)ML1L2;或(2)[(R8XR9)(R1nPyr)(R2nPyr)]ML1L2的含金属配合物;其中M是IV族金属,Pyr是吡咯配体,n=1、2和3,L1和L2可独立选择自烷氧基、酰胺或烷基,L1和L2可以连接在一起,R1和R2可以是相同或不同的有机基团,在吡咯环的2、3、4位被取代,并且从由线性和支链C1-6烷基组成的组中选择,W和R9可以独立选择具有2-6个碳原子的线性或支链烷基链,X为CH2或氧。还讨论了将金属配合物用作沉积金属或金属氧化物薄膜的前体的方法,用于半导体行业中各种器件。
    公开号:
    US20130030191A1
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文献信息

  • Group IV Metal Complexes For Metal-Containing Film Deposition
    申请人:Bailey, III Wade Hampton
    公开号:US20130030191A1
    公开(公告)日:2013-01-31
    Metal-containing complexes with general formula (1) (R 1 n Pyr)(R 2 n Pyr)ML 1 L 2 ; or (2) [(R 8 XR 9 )(R 1 n Pyr)(R 2 n Pyr)]ML 1 L 2 are disclosed; wherein M is a Group IV metal, Pyr is pyrrolyl ligand, n=1, 2 and 3, L 1 and L 2 are independently selected from alkoxide, amide or alkyl, L 1 and L 2 can be linked together, R 1 and R 2 can be same or different organic groups substituted at 2,3,4-positions of the pyrrole ring and are selected from the group consisting of linear and branched C 1-6 alkyls, Wand R 9 are independently selected from the linear or branched chain alkylene group having 2-6 carbon atoms, and X is CH 2 or oxygen. Methods of using the metal complexes as precursors to deposit metal or metal oxide films used for various devices in semi-conductor industries are also discussed.
    揭示了具有一般公式(1)(R1nPyr)(R2nPyr)ML1L2;或(2)[(R8XR9)(R1nPyr)(R2nPyr)]ML1L2的含金属配合物;其中M是IV族金属,Pyr是吡咯配体,n=1、2和3,L1和L2可独立选择自烷氧基、酰胺或烷基,L1和L2可以连接在一起,R1和R2可以是相同或不同的有机基团,在吡咯环的2、3、4位被取代,并且从由线性和支链C1-6烷基组成的组中选择,W和R9可以独立选择具有2-6个碳原子的线性或支链烷基链,X为CH2或氧。还讨论了将金属配合物用作沉积金属或金属氧化物薄膜的前体的方法,用于半导体行业中各种器件。
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