bis(η⁵-ethylcyclopentadienyl)ruthenium | 32992-96-4

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机钌
• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 芳香烃
• 英文名称: bis(η⁵-ethylcyclopentadienyl)ruthenium
• 英文别名: (η⁵-C₅EtH₄)₂Ru；bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium；diethylcyclopentadienyl ruthenium；1.1'-Ru(C5H4(C2H5))2；bis(etylcyclopentadienyl)ruthenium；1,1'-diethylruthenocene；Ru(EtCp)2；1-Ethylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+)；1-ethylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+)
• CAS: 32992-96-4
• 化学式: C₁₄H₁₈Ru
• 分子量: 287.367
• InChiKey: OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  6 °C (lit.)
• 沸点：
  100 °C/0.01 mmHg (lit.)
• 密度：
  1.3412 g/mL at 25 °C (lit.)
• 闪点：
  >200 °F
• 稳定性/保质期：

  遵照规定使用和储存，则不会分解。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.93
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• TSCA：
  No
• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26,S43
• 危险类别码：
  R36/37/38,R14/15
• WGK Germany：
  3
• 海关编码：
  2902199090
• 危险品运输编号：
  UN 3398 4.3/PG 2
• 储存条件：
  在密闭、不超过5°C的阴凉干燥环境中保存。

SDS

1.1 产品标识符
: 双(乙基环戊二烯)钌(II)
产品名称
1.2 鉴别的其他方法
Diethylruthenocene
1.3 有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途
仅供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。

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模块 2. 危险性概述
2.1 GHS分类
皮肤刺激 (类别2)
眼刺激 (类别2A)
特异性靶器官系统毒性（一次接触） (类别3)
2.2 GHS 标记要素，包括预防性的陈述
象形图
警示词 警告
危险申明
H315 造成皮肤刺激。
H319 造成严重眼刺激。
H335 可能引起呼吸道刺激。
警告申明
预防
P261 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾.
P264 操作后彻底清洁皮肤。
P271 只能在室外或通风良好之处使用。
P280 穿戴防护手套/ 眼保护罩/ 面部保护罩。
措施
P302 + P352 如与皮肤接触，用大量肥皂和水冲洗受感染部位.
P304 + P340 如吸入，将患者移至新鲜空气处并保持呼吸顺畅的姿势休息.
P305 + P351 + P338 如与眼睛接触，用水缓慢温和地冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可方便地取
出，取出隐形眼镜，然后继续冲洗.
P312 如感觉不适，呼救中毒控制中心或医生.
P321 具体治疗(见本标签上提供的急救指导)。
P332 + P313 如发生皮肤刺激：求医/ 就诊。
P337 + P313 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊。 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊.
P362 脱掉沾染的衣服，清洗后方可重新使用。
储存
P403 + P233 存放于通风良的地方。 保持容器密闭。
P405 存放处须加锁。
处理
P501 将内容物/ 容器处理到得到批准的废物处理厂。
2.3 其它危害物 - 无

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模块 3. 成分/组成信息
3.1 物 质
: Diethylruthenocene
别名
: C14H18Ru
分子式
: 287.36 g/mol
分子量
组分 浓度或浓度范围
Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II)
-
CAS 号 32992-96-4

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模块 4. 急救措施
4.1 必要的急救措施描述
一般的建议
请教医生。 出示此安全技术说明书给到现场的医生看。
吸入
如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。 如果停止了呼吸,给于人工呼吸。 请教医生。
皮肤接触
用肥皂和大量的水冲洗。 请教医生。
眼睛接触
用大量水彻底冲洗至少15分钟并请教医生。
食入
切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。 用水漱口。 请教医生。
4.2 主要症状和影响，急性和迟发效应
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
4.3 及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示
无数据资料

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模块 5. 消防措施
5.1 灭火介质
灭火方法及灭火剂
用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。
5.2 源于此物质或混合物的特别的危害
碳氧化物, 氧化钌
5.3 给消防员的建议
如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。
5.4 进一步信息
无数据资料

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模块 6. 泄露应急处理
6.1 人员的预防,防护设备和紧急处理程序
使用个人防护设备。 防止吸入蒸汽、气雾或气体。 保证充分的通风。 将人员撤离到安全区域。
6.2 环境保护措施
不要让产物进入下水道。
6.3 抑制和清除溢出物的方法和材料
用惰性吸附材料吸收并当作危险废品处理。 存放进适当的闭口容器中待处理。
6.4 参考其他部分
丢弃处理请参阅第13节。

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模块 7. 操作处置与储存
7.1 安全操作的注意事项
避免接触皮肤和眼睛。 防止吸入蒸汽和烟雾。
一般性的防火保护措施。
7.2 安全储存的条件,包括任何不兼容性
贮存在阴凉处。 容器保持紧闭，储存在干燥通风处。
打开了的容器必须仔细重新封口并保持竖放位置以防止泄漏。
建议的贮存温度： -20 °C
对水和潮气敏感。 充气操作和储存
7.3 特定用途
无数据资料

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模块 8. 接触控制和个体防护
8.1 容许浓度
最高容许浓度
没有已知的国家规定的暴露极限。
8.2 暴露控制
适当的技术控制
按照良好工业和安全规范操作。 休息前和工作结束时洗手。
个体防护设备
眼/面保护
带有防护边罩的安全眼镜符合 EN166要求请使用经官方标准如NIOSH (美国) 或 EN 166(欧盟)
检测与批准的设备防护眼部。
皮肤保护
戴手套取 手套在使用前必须受检查。
请使用合适的方法脱除手套(不要接触手套外部表面),避免任何皮肤部位接触此产品.
使用后请将被污染过的手套根据相关法律法规和有效的实验室规章程序谨慎处理. 请清洗并吹干双手
所选择的保护手套必须符合EU的89/686/EEC规定和从它衍生出来的EN 376标准。
身体保护
防渗透的衣服, 防护设备的类型必须根据特定工作场所中的危险物的浓度和含量来选择。
呼吸系统防护
如危险性评测显示需要使用空气净化的防毒面具，请使用全面罩式多功能防毒面具（US）或ABEK型
（EN
14387）防毒面具筒作为工程控制的候补。如果防毒面具是保护的唯一方式，则使用全面罩式送风防
毒面具。 呼吸器使用经过测试并通过政府标准如NIOSH（US）或CEN（EU）的呼吸器和零件。

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模块 9. 理化特性
9.1 基本的理化特性的信息
a) 外观与性状
形状: 液体
b) 气味
无数据资料
c) 气味阈值
无数据资料
d) pH值
无数据资料
e) 熔点/凝固点
熔点/凝固点: 6 °C - lit.
f) 起始沸点和沸程
100 °C 在 0.01 hPa - lit.
g) 闪点
> 93.3 °C - 闭杯
h) 蒸发速率
无数据资料
i) 易燃性(固体,气体)
无数据资料
j) 高的/低的燃烧性或爆炸性限度 无数据资料
k) 蒸汽压
无数据资料
l) 蒸汽密度
无数据资料
m) 相对密度
1.3412 g/cm3 在 25 °C
n) 水溶性
无数据资料
o) n-辛醇/水分配系数
无数据资料
p) 自燃温度
无数据资料
q) 分解温度
无数据资料
r) 粘度
无数据资料

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模块 10. 稳定性和反应活性
10.1 反应性
无数据资料
10.2 稳定性
无数据资料
10.3 危险反应的可能性
无数据资料
10.4 应避免的条件
无数据资料
10.5 不兼容的材料
强氧化剂
10.6 危险的分解产物
其它分解产物 - 无数据资料

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模块 11. 毒理学资料
11.1 毒理学影响的信息
急性毒性
无数据资料
皮肤刺激或腐蚀
无数据资料
眼睛刺激或腐蚀
无数据资料
呼吸道或皮肤过敏
无数据资料
生殖细胞突变性
无数据资料
致癌性
IARC:
此产品中没有大于或等于 0。1%含量的组分被 IARC鉴别为可能的或肯定的人类致癌物。
生殖毒性
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（一次接触）
吸入 - 可能引起呼吸道刺激。
特异性靶器官系统毒性（反复接触）
无数据资料
吸入危险
无数据资料
潜在的健康影响
吸入 吸入可能有害。 引起呼吸道刺激。
摄入 如服入是有害的。
皮肤 如果通过皮肤吸收可能是有害的。 造成皮肤刺激。
眼睛 造成严重眼刺激。
接触后的征兆和症状
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
附加说明
化学物质毒性作用登记: 无数据资料

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模块 12. 生态学资料
12.1 生态毒性
无数据资料
12.2 持久存留性和降解性
无数据资料
12.3 潜在的生物蓄积性
无数据资料
12.4 土壤中的迁移性
无数据资料
12.5 PBT 和 vPvB的结果评价
无数据资料
12.6 其它不利的影响
无数据资料

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模块 13. 废弃处置
13.1 废物处理方法
产品
受污染的容器和包装
作为未用过的产品弃置。

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模块 14. 运输信息
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.2 联合国（UN）规定的名称
欧洲陆运危规: 非危险货物
国际海运危规: 非危险货物
国际空运危规: 非危险货物
14.3 运输危险类别
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.4 包裹组
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.5 环境危险
欧洲陆运危规: 否 国际海运危规 海运污染物: 否 国际空运危规: 否
14.6 对使用者的特别提醒
无数据资料

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模块 15 - 法规信息
N/A

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模块16 - 其他信息
N/A

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(η⁵-ethylcyclopentadienyl)ruthenium 在 氨 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 钌
  参考文献：
  名称：

  用于铜互连的钌粘合层的 PEALD

  摘要：

  在270℃的沉积温度下使用交替供应双(乙基环戊二烯基)钌[Ru(EtCp) 2 ]和NH 3 等离子体，通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)产生钌薄膜。每个循环的膜厚度自限为 0.038 nm/循环，这比使用氧气代替 NH 3 等离子体的常规 ALD 获得的厚度更薄。用PEALD制备的钌薄膜具有向(002)的优先取向，并且随着NH 3 等离子体功率逐渐促进。由于初始薄膜生长阶段的瞬态周期减少，钌的 PEALD 在控制小于 2 nm 的超薄膜厚度方面比传统 ALD 更精确和更容易显示出优点。还，

  DOI：

  10.1149/1.1809576
• 作为产物：
  描述：

  1.1'-Ru(C5H4(COCH3))2 在 sodium tetrahydroborate 、 三氟化硼乙醚 作用下， 以 乙二醇二甲醚 为溶剂， 以95%的产率得到bis(η⁵-ethylcyclopentadienyl)ruthenium
  参考文献：
  名称：

  Shul'pin, G. V., Journal of general chemistry of the USSR, 1981, vol. 51, p. 1854 - 1854

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Thermodynamic Calculations and Metallorganic Chemical Vapor Deposition of Ruthenium Thin Films Using Bis(ethyl-π-cyclopentadienyl)Ru for Memory Applications
  作者：Sang Yeol Kang、Kook Hyun Choi、Seok Kiu Lee、Cheol Seong Hwang、Hyeong Joon Kim

  DOI：10.1149/1.1393330

  日期：——

  The equilibrium concentrations of the various gaseous and solid phases in metallorganic chemical vapor deposition of Ru thin films were calculated in the experimentally relevant temperature and oxygen partial pressure ranges. Although thermal decomposition of the precursor, bis(ethyl‐π‐cyclopentadienyl)Ru required a sufficient amount of oxygen, experimental results showed that up to a certain concentration

  在实验相关的温度和氧分压范围内计算了 Ru 薄膜的金属有机化学气相沉积中各种气相和固相的平衡浓度。尽管前体双（乙基-π-环戊二烯基）Ru 的热分解需要足够量的氧气，但实验结果表明，当氧气达到一定浓度时，Ru 金属沉积时没有任何可检测的杂质。热力学计算表明，所有供应的氧气都被消耗来氧化碳和氢，从前体配体裂解，而不是 Ru。因此，可以获得金属膜。有一个最佳的氧与前驱体的比例，在这个比例下，可以获得纯 Ru 相，同时产生的碳和有害氢最少。通过在 300°C 的低沉积温度下优化氧气供应，可以获得具有最少碳和污染的 Ru 薄膜。© 2000 电化学学会。版权所有。
• Atomic Layer Deposition of Ruthenium Thin Films for Copper Glue Layer
  作者：Oh-Kyum Kwon、Jae-Hoon Kim、Hyoung-Sang Park、Sang-Won Kang

  DOI：10.1149/1.1640633

  日期：——

  This work was supported by Samsung Electronics and the projects of System IC 2010 and National Research Laboratory. Korea Advanced Institute of Science and Technology assisted in meeting the publication costs of this article.

  这项工作得到了三星电子和 System IC 2010 和国家研究实验室项目的支持。韩国科学技术院协助支付了这篇文章的出版费用。
• Formation of Ru nanocrystals by plasma enhanced atomic layer deposition for nonvolatile memory applications
  作者：Sung-Soo Yim、Moon-Sang Lee、Ki-Su Kim、Ki-Bum Kim

  DOI：10.1063/1.2338793

  日期：2006.8.28

  The formation of Ru nanocrystals is demonstrated on a SiO2 substrate by plasma enhanced atomic layer deposition using diethylcyclopentadienyl ruthenium and NH3 plasma. The island growth of Ru was observed at the initial stages of the film formation up to a nominal thickness of 11.1nm. A maximum Ru nanocrystal spatial density of 9.7×1011∕cm2 was achieved with an average size of 3.5nm and standard deviation

  通过使用二乙基环戊二烯基钌和 NH3 等离子体的等离子体增强原子层沉积，在 SiO2 基底上证明了 Ru 纳米晶体的形成。在膜形成的初始阶段观察到 Ru 的岛状生长，达到 11.1nm 的标称厚度。实现了 9.7×1011∕cm2 的最大 Ru 纳米晶体空间密度，平均尺寸为 3.5nm，尺寸标准偏差为 20%。通过测量金属氧化物半导体存储电容器结构的电容-电压测量中的平带电压偏移来证明 Ru 纳米晶体中的电子充电/放电效应。
• Selective Wet-Chemical Etching of the Barrier Layer during Formation of Porous Anodic Aluminum Oxide Template
  作者：Sang-Hyun Park、Satbyul Kim、Do-Joong Lee、Seongjin Yun、Zheong Gou Khim、Ki-Bum Kim

  DOI：10.1149/1.3207011

  日期：——

  A porous anodic aluminum oxide (AAO) template with a TiN bottom electrode was fabricated on a SiO 2 /Si substrate. The anodizing process ended up stably with the formation of TiO 2 pillars penetrating the barrier layer, and the TiO 2 pillars were selectively and uniformly removed using standard clean-1 solution (NH 4 OH:H 2 O 2 :H 2 O = 1:1:5). Ru nanowires were fabricated in the AAO nanochannels with

  在 SiO 2 /Si 衬底上制造具有 TiN 底部电极的多孔阳极氧化铝 (AAO) 模板。随着 TiO 2 柱体穿透阻挡层的形成，阳极氧化过程稳定结束，并且使用标准清洁 1 溶液（NH 4 OH:H 2 O 2 :H 2 O = 1： 1:5）。通过使用Ru(EtCp) 2 作为前体和O 2 作为还原剂的原子层沉积工艺，在AAO纳米通道中以10:1的纵横比制造Ru纳米线。Ru纳米线和TiN底部电极之间的接触通过透射电子显微镜确认。通过导电原子力显微镜分析通过 TiN 底部电极的每条 Ru 纳米线的电流 - 电压特性，这显示了接触的均匀欧姆行为，每根 Ru 纳米线的电阻低至 2.7 ± 0.3 kΩ。选择性和均匀去除 AAO 模板阻挡层的稳定湿化学途径被应用于需要与高纵横比纳米线良好电连接的设备，例如传感器、电池或光电设备。
• The properties of Ru films deposited by remote plasma atomic layer deposition on Ar plasma-treated SiO₂
  作者：Taeyong Park、Dongjin Choi、Hagyoung Choi、Hyeongtag Jeon

  DOI：10.1002/pssa.201127280

  日期：2012.2

  By using remote plasma atomic layer deposition (ALD), ruthenium thin films were deposited on SiO2 using bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium [Ru(EtCp)2] as a Ru precursor and an ammonia plasma as a reactant. Different plasma treatments were applied, and the best results were obtained with the Ar plasma-treated SiO2 surface. The initial transition region usually observed with Ru deposition before continuous

  通过使用远程等离子体原子层沉积 (ALD)，使用双（乙基环戊二烯基）钌 [Ru(EtCp)2] 作为 Ru 前体和氨等离子体作为反应物，在 SiO2 上沉积钌薄膜。应用了不同的等离子体处理，Ar 等离子体处理的 SiO2 表面获得了最好的结果。通常在连续成膜之前用 Ru 沉积观察到的初始过渡区，在 Ar 等离子体处理的 SiO2 衬底上，获得连续膜所需的 ALD 循环次数减少到约 35 个循环。用透射电子显微镜 (TEM) 研究了 Ar 等离子体处理的 SiO2 上 Ru 簇生长的过渡区域。大多数 Ru 簇在 Ar 等离子体处理的 SiO2 上比在未经处理的 SiO2 上更大且更好地结晶。还，沉积在处理过的 SiO2 上的 Ru 薄膜呈现出一种 (002) 优选的取向结构，薄膜电阻率约为 10.26 µΩ-cm。经过过渡区后，经过处理和未处理的 SiO2 的 Ru 的生长速率相似，约为 1