1-nitro-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene | 1402226-24-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1-nitro-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene
• 英文别名: 1-Nitro-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene；1-nitro-4-nona-1,8-dien-5-yloxybenzene
• CAS: 1402226-24-7
• 化学式: C₁₅H₁₉NO₃
• 分子量: 261.321
• InChiKey: WTERHGDCJLQEHJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  55
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-nitro-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene 在 盐酸 、 铁粉 作用下， 以 乙醇 、 水 为溶剂， 反应 2.0h， 以69%的产率得到1-amino-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene
  参考文献：
  名称：

  PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

  摘要：

  公开号：

  EP2695885B1
• 作为产物：
  描述：

  对硝基苯酚 、 壬-1,8-二烯-5-醇 在 三苯基膦 、 偶氮二甲酸二乙酯 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 5.0h， 以65%的产率得到1-nitro-4-(1,8-nonadiene-5-yloxy)benzene
  参考文献：
  名称：

  PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

  摘要：

  公开号：

  EP2695885B1

文献信息

• PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, N-TYPE SEMICONDUCTOR, A METHOD FOR PRODUCING N-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：Funahashi Masahiro

  公开号：US20140024171A1

  公开（公告）日：2014-01-23

  The present invention provides a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative which enables the formation of an n-type semiconductor having high carrier mobility and has superior solubility. The perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative is a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative represented by the following chemical formula (I), a tautomer or stereoisomer of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative, or a salt of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative or the tautomer or stereoisomer, In the chemical formula (I), R 1 to R 6 each represents a hydrogen atom, organooligosiloxane, or any substituent, at least one of R 1 to R 6 represents a monovalent substituent derived from organooligosiloxane, L 1 and L 2 each represents a single bond or a linking group, R 7 to R 10 each represents a lower alkyl group or a halogen, and o, p, q, and r each represents an integer from 0 to 2.

  本发明提供了一种苝酞菁四羧酸双亚胺衍生物，其能够形成具有高载流子迁移率的n型半导体，并具有优异的溶解性。该苝酞菁四羧酸双亚胺衍生物是由以下化学式（I）所表示的苝酞菁四羧酸双亚胺衍生物，其互变异构体或立体异构体，或者是该苝酞菁四羧酸双亚胺衍生物或其互变异构体或立体异构体的盐。在化学式（I）中，R1至R6分别表示氢原子、有机寡硅氧烷或任何取代基，其中至少一个R1至R6表示来自有机寡硅氧烷的一价取代基，L1和L2分别表示单键或连接基，R7至R10分别表示低碳烷基或卤素，o、p、q和r分别表示0至2的整数。
• Perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative, N-type semiconductor, a method for producing N-type semiconductor, and electronic device
  申请人：Funahashi Masahiro

  公开号：US08987044B2

  公开（公告）日：2015-03-24

  The present invention provides a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative which enables the formation of an n-type semiconductor having high carrier mobility and has superior solubility. The perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative is a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative represented by the following chemical formula (I), a tautomer or stereoisomer of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative, or a salt of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative or the tautomer or stereoisomer, In the chemical formula (I), R1 to R6 each represents a hydrogen atom, organooligosiloxane, or any substituent, at least one of R1 to R6 represents a monovalent substituent derived from organooligosiloxane, L1 and L2 each represents a single bond or a linking group, R7 to R10 each represents a lower alkyl group or a halogen, and o, p, q, and r each represents an integer from 0 to 2.

  本发明提供了一种苝二酸二酰亚胺衍生物，它使n型半导体具有高载流子迁移率并具有优异的溶解性。该苝二酸二酰亚胺衍生物是由下述化学式（I）所表示的苝二酸二酰亚胺衍生物，苝二酸二酰亚胺衍生物的互变异构体或立体异构体，或苝二酸二酰亚胺衍生物或其互变异构体或立体异构体的盐。在化学式（I）中，R1至R6分别表示氢原子、有机寡硅氧烷或任何取代基，其中至少一个R1至R6表示来自有机寡硅氧烷的一价取代基，L1和L2分别表示单键或连接基，R7至R10分别表示低碳烷基或卤素，o、p、q和r分别表示0至2的整数。
• US8987044B2
  申请人：——

  公开号：US8987044B2

  公开（公告）日：2015-03-24
• [EN] PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE<br/>[FR] DÉRIVÉ DE BISIMIDE D'ACIDE PÉRYLÈNE TÉTRACARBOXYLIQUE, SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE n, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE n ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
  申请人：UNIV KAGAWA NAT UNIV CORP

  公开号：WO2012137853A1

  公开（公告）日：2012-10-11

  　高いキャリア移動度を有するn-型半導体を形成可能であり、かつ、溶解性に優れたペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体を提供する。　下記化学式（Ｉ）で表されることを特徴とするペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。前記化学式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ、水素原子、オルガノオリゴシロキサン、または任意の置換基であり、少なくとも一つはオルガノオリゴシロキサンから誘導される一価の置換基であり、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ、単結合または連結基であり、Ｒ７～Ｒ１０は、それぞれ、低級アルキル基、またはハロゲンであり、ｏ、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ、０から２までの整数である。