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N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-((E)-2-(triethoxysilyl)-vinyl)phenyl)biphenyl-4,4'-diamine | 1262958-10-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-((E)-2-(triethoxysilyl)-vinyl)phenyl)biphenyl-4,4'-diamine
英文别名
N-phenyl-4-[(E)-2-triethoxysilylethenyl]-N-[4-[4-(N-[4-[(E)-2-triethoxysilylethenyl]phenyl]anilino)phenyl]phenyl]aniline
N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-((E)-2-(triethoxysilyl)-vinyl)phenyl)biphenyl-4,4'-diamine化学式
CAS
1262958-10-0
化学式
C52H60N2O6Si2
mdl
——
分子量
865.229
InChiKey
WDQOPPTYQFSXBC-LMXNTIJMSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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物化性质

  • 沸点:
    839.3±65.0 °C(predicted)
  • 密度:
    1.118±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    13.49
  • 重原子数:
    62
  • 可旋转键数:
    23
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.23
  • 拓扑面积:
    61.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

反应信息

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文献信息

  • Hole Injection/Transport Materials Derived from Heck and Sol−Gel Chemistry for Application in Solution-Processed Organic Electronic Devices
    作者:Younhee Lim、Young-Seo Park、Yerang Kang、Do Young Jang、Joo Hyun Kim、Jang-Joo Kim、Alan Sellinger、Do Y. Yoon
    DOI:10.1021/ja1061517
    日期:2011.2.9
    the Si atom and the aromatic amine, was prepared under mild conditions via sequential Heck and sol-gel chemistry and used as an alternative to poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS), the most widely used planarizing hole injection/transport layer in solution-processed organic electronic devices. Spin-coating TEVS-TPD polymer solutions yield defect-free, uniform, thin films
    一种有机硅酸酯聚合物,基于 N,N'-二苯基-N,N'-双(4-((E)-2-(三乙氧基甲硅烷基)乙烯基)苯基)联苯基-4,4'-二胺 (TEVS-TPD),具有Si 原子和芳香胺之间的扩展共轭,在温和条件下通过顺序 Heck 和溶胶-凝胶化学制备,并用作聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)的替代品,在溶液加工的有机电子器件中使用最广泛的平面化空穴注入/传输层。旋涂 TEVS-TPD 聚合物溶液产生无缺陷、均匀的薄膜,对 ITO 电极具有优异的附着力。在 180 °C 下热交联后,交联聚合物表现出优异的耐溶剂性和电化学稳定性。
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