p,p'-bis(3-methoxyphenoxy)tetrafluorobenzene | 85225-61-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: p,p'-bis(3-methoxyphenoxy)tetrafluorobenzene
• 英文别名: 1,2,4,5-Tetrafluoro-3,6-bis(3-methoxyphenoxy)benzene
• CAS: 85225-61-2
• 化学式: C₂₀H₁₄F₄O₄
• 分子量: 394.322
• InChiKey: WJTLJROQGNYKLK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  81-82 °C(Solv: benzene (71-43-2))
• 沸点：
  360.7±42.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.334±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.3
• 重原子数：
  28
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.1
• 拓扑面积：
  36.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  p,p'-bis(3-methoxyphenoxy)tetrafluorobenzene 在 吡啶盐酸盐 作用下， 反应 5.0h， 以96%的产率得到p,p'-bis(3-hydroxyphenoxy)tetrafluorobenzene
  参考文献：
  名称：

  Kameneva, T. M.; Malichenko, B. F.; Shelud'ko, E. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1989, vol. 25, # 3.2, p. 518 - 523

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  3-甲氧基苯酚 、 六氟苯 在 potassium carbonate 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 6.0h， 以80%的产率得到p,p'-bis(3-methoxyphenoxy)tetrafluorobenzene
  参考文献：
  名称：

  Kameneva, T. M.; Malichenko, B. F.; Shelud'ko, E. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1989, vol. 25, # 3.2, p. 518 - 523

  摘要：

  DOI：

文献信息

• RESIST UNDERLAYER FILM MATERIAL, PATTERNING PROCESS, AND METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210397092A1

  公开（公告）日：2021-12-23

  A resist underlayer film material used in multilayer resist method contains (A) compound shown by following general formula (1), and (B) organic solvent, where X independently represents monovalent organic group shown by following general formula (2); W contains an “m” number of partial structures each independently shown by following formula (3); “m” and “n” each represent an integer of 1 to 10; broken lines represent bonding arms; Z represents aromatic group; A represents single bond or —O—(CH 2 ) p —; “k” represents integer of 1 to 5; “p” represents integer of 1 to 10; R 01 represents hydrogen atom or monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. Material is capable of forming resist underlayer film excellent in planarizing property in fine patterning process by multilayer resist method in semiconductor-device manufacturing process; and patterning processes and methods for forming resist underlayer film use material.

  多层光刻法中使用的抗蚀底层膜材料包含以下通式（1）所示的化合物（A）和有机溶剂（B），其中X独立地表示由以下通式（2）所示的一价有机基团；W包含“m”个部分结构，每个部分结构都独立地由以下式（3）所示；“m”和“n”分别表示1到10的整数；断裂的线表示连接臂；Z表示芳香基团；A表示单键或—O—（CH2）p—；“k”表示1到5的整数；“p”表示1到10的整数；R01表示氢原子或具有1到10个碳原子的一价有机基团。该材料能够形成在半导体器件制造过程中通过多层光刻法具有平坦化性能的抗蚀底层膜，以及用于形成抗蚀底层膜的图案化过程和方法。
• KAMENEVA, T. M.;MALICHENKO, B. F.;SHELUDKO, E. V., DOKL. AN YCCP, 1983, N 1, 22-24
  作者：KAMENEVA, T. M.、MALICHENKO, B. F.、SHELUDKO, E. V.

  DOI：——

  日期：——
• Kameneva, T. M.; Malichenko, B. F.; Shelud'ko, E. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1989, vol. 25, # 3.2, p. 518 - 523
  作者：Kameneva, T. M.、Malichenko, B. F.、Shelud'ko, E. V.、Pogorelyi, V. K.、Sherstyuk, A. I.、Rozhenko, A. B.

  DOI：——

  日期：——