(2,3,3,4,4-Pentafluorocyclobuten-1-yl)oxymethylbenzene | 60838-90-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: (2,3,3,4,4-Pentafluorocyclobuten-1-yl)oxymethylbenzene
• CAS: 60838-90-6
• 化学式: C₁₁H₇F₅O
• 分子量: 250.168
• InChiKey: IDWIIYAZVZGLGX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.27
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (2,3,3,4,4-Pentafluorocyclobuten-1-yl)oxymethylbenzene 在 盐酸 作用下， 以 various solvent(s) 为溶剂， 反应 0.02h， 以95%的产率得到1-hydroxyperfluorocyclobut-1-ene
  参考文献：
  名称：

  新型酮-烯醇系统：环丁烷衍生物

  摘要：

  3H-全氟双环[2.2.0]hexan-2-one (3) 已由六氟苯合成并与其烯醇形式 (4) 平衡。在四氯化碳 Ke/k = 0.07 ± 0.01 (25 °C) 中，但在路易斯碱性溶剂（例如乙腈、乙醚和四氢呋喃）中，由于烯醇作为氢键供体的强度，因此在平衡状态下只能检测到烯醇。在该酮-烯醇系统的单环对应物 2H-全氟环丁酮 (1) 和全氟环丁-1-烯醇 (2) 中，烯醇更稳定。在平衡条件下，在所有检测的介质（包括四氯化碳）中都检测不到酮。在不受阻碍和未共轭的烯醇中，2 和 4 相对于它们的酮比任何其他已报道的更稳定。从头算量子力学计算支持以下结论：酮的不稳定，

  DOI：

  10.1021/ja952998h
• 作为产物：
  描述：

  六氟环丁烯 、 苯甲醇 生成 (2,3,3,4,4-Pentafluorocyclobuten-1-yl)oxymethylbenzene
  参考文献：
  名称：

  Bekker,R.A. et al., Doklady Chemistry, 1976, vol. 229, p. 514 - 517

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Dry Etching Gas and Method of Dry Etching
  申请人：Sekiya Akira

  公开号：US20080274334A1

  公开（公告）日：2008-11-06

  A dry etching gas comprising a C 4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O 2 , O 3 , CO, CO 2 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CF 4 , C 2 F 6 , and C 3 F 8 ; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干法刻蚀气体，包括C4-6氟化合物，其具有醚键或羰基基团和分子中的一个或多个氟原子，仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子与碳原子的比例（F/C）为1.9或更低（前提是该化合物既不是具有一个环状醚键和一个碳-碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基基团的饱和氟化合物）;混合干法刻蚀气体包括干法刻蚀气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6和C3F8的气体的气体;以及一种干法刻蚀方法，包括将这些干法刻蚀气体之一转化为等离子体，并用等离子体处理半导体材料。这些干法刻蚀气体可以安全使用，对全球环境的影响减少，并且可以高度选择性地干法刻蚀半导体材料以形成令人满意的图案形状。这种干法刻蚀方法采用这些干法刻蚀气体之一。
• DRY ETCHING GASES AND METHOD OF DRY ETCHING
  申请人：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

  公开号：EP1760769A1

  公开（公告）日：2007-03-07

  A dry etching gas comprising a C4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O2, O3, CO, CO2, CHF3, CH2F2, CF4, C2F6, and C3F8; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干蚀刻气体，包括一种C4-6氟化合物，其分子中具有一个醚键或羰基和一个或多个氟原子，且仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子数与碳原子数之比（F/C）为1.9 或更低（条件是该化合物既不是具有一个环醚键和一个碳碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基的饱和氟化合物）；一种混合干蚀刻气体，包括干蚀刻气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6 和 C3F8 组成的组的气体；以及一种干蚀刻方法，该方法包括将上述任一种干蚀刻气体转化为等离子体，并用该等离子体处理半导体材料。干蚀刻气体可以安全使用，对全球环境的影响较小，并能以较高的干蚀刻速率高度选择性地对半导体材料进行干蚀刻，以形成令人满意的图案形状。干蚀刻方法采用上述任何一种干蚀刻气体。
• Bekker,R.A. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1977, vol. 13, p. 1956 - 1958
  作者：Bekker,R.A. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Novel Keto−Enol Systems:  Cyclobutane Derivatives
  作者：Patrick E. Lindner、Ricardo A. Correa、James Gino、David M. Lemal

  DOI：10.1021/ja952998h

  日期：1996.1.1

  of its strength as a hydrogen bond donor. In the monocyclic counterpart of this keto−enol system, 2H-perfluorocyclobutanone (1) and perfluorocyclobut-1-enol (2), the enol is more stable yet. Here ketone is undetectable under equilibrating conditions in all media examined, including carbon tetrachloride. Among unhindered and unconjugated enols, 2 and 4 are more stable relative to their ketones than any

  3H-全氟双环[2.2.0]hexan-2-one (3) 已由六氟苯合成并与其烯醇形式 (4) 平衡。在四氯化碳 Ke/k = 0.07 ± 0.01 (25 °C) 中，但在路易斯碱性溶剂（例如乙腈、乙醚和四氢呋喃）中，由于烯醇作为氢键供体的强度，因此在平衡状态下只能检测到烯醇。在该酮-烯醇系统的单环对应物 2H-全氟环丁酮 (1) 和全氟环丁-1-烯醇 (2) 中，烯醇更稳定。在平衡条件下，在所有检测的介质（包括四氯化碳）中都检测不到酮。在不受阻碍和未共轭的烯醇中，2 和 4 相对于它们的酮比任何其他已报道的更稳定。从头算量子力学计算支持以下结论：酮的不稳定，
• Bekker,R.A. et al., Doklady Chemistry, 1976, vol. 229, p. 514 - 517
  作者：Bekker,R.A. et al.

  DOI：——

  日期：——