dichlorophenyl(p-vinylphenyl)silane | 15411-37-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: dichlorophenyl(p-vinylphenyl)silane
• 英文别名: p--styrol；p-(Dichlor-phenyl-silyl)-styrol；Dichloro-(4-ethenylphenyl)-phenylsilane
• CAS: 15411-37-7
• 化学式: C₁₄H₁₂Cl₂Si
• 分子量: 279.241
• InChiKey: IJZLRIDOEUDFGO-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  344.9±21.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.17±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.36
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dichlorophenyl(p-vinylphenyl)silane 、 3,3’-二溴-5,5’-双(三甲基硅基)-2,2’-联噻吩 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 3.0h， 以24%的产率得到7-Phenyl-2,5-bis-trimethylsilanyl-7-(4-vinyl-phenyl)-7H-3,4-dithia-7-sila-cyclopenta[a]pentalene
  参考文献：
  名称：

  具有侧基二噻吩甲硅烷基单元的低聚物的合成及其在电致发光器件材料中的应用

  摘要：

  通过使用AIBN作为引发剂使相应的二噻吩并硅醇单体进行自由基聚合来制备带有二噻吩并硅醇作为侧基的低聚物。所得的低聚物在普通有机溶剂中显示出高溶解度，并 在THF中具有较强的光致荧光（Φ = 0.72–0.76），略高于单体二硫代硅醇DTS（TMS）2。检查了低聚物作为空穴传输材料在EL器件上的应用，并从由ITO /低聚物/ Alq 3 / Mg-Ag组成的器件中获得了2140 cd / m 2的最大电致发光度。

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2004.09.039
• 作为产物：
  描述：

  4-氯苯乙烯 、 苯基三氯硅烷 在 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 为溶剂， 反应 3.0h， 以41%的产率得到dichlorophenyl(p-vinylphenyl)silane
  参考文献：
  名称：

  具有侧基二噻吩甲硅烷基单元的低聚物的合成及其在电致发光器件材料中的应用

  摘要：

  通过使用AIBN作为引发剂使相应的二噻吩并硅醇单体进行自由基聚合来制备带有二噻吩并硅醇作为侧基的低聚物。所得的低聚物在普通有机溶剂中显示出高溶解度，并 在THF中具有较强的光致荧光（Φ = 0.72–0.76），略高于单体二硫代硅醇DTS（TMS）2。检查了低聚物作为空穴传输材料在EL器件上的应用，并从由ITO /低聚物/ Alq 3 / Mg-Ag组成的器件中获得了2140 cd / m 2的最大电致发光度。

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2004.09.039

文献信息

• Synthesis of oligomers having a pendant dithienosilole unit and their applications to EL device materials
  作者：Kwang-Hoi Lee、Joji Ohshita、Keisuke Kimura、Yoshihito Kunugi、Atsutaka Kunai

  DOI：10.1016/j.jorganchem.2004.09.039

  日期：2005.1

  were prepared by radical polymerization of the corresponding dithienosilole monomer using AIBN as an initiator. The resulting oligomers exhibited high solubility in common organic solvents and strong photofluorescences (Φ = 0.72–0.76) in THF which are a little higher than that of monomeric dithienosilole DTS(TMS)2. Applications of the oligomers to EL devices as hole transporting materials were examined

  通过使用AIBN作为引发剂使相应的二噻吩并硅醇单体进行自由基聚合来制备带有二噻吩并硅醇作为侧基的低聚物。所得的低聚物在普通有机溶剂中显示出高溶解度，并 在THF中具有较强的光致荧光（Φ = 0.72–0.76），略高于单体二硫代硅醇DTS（TMS）2。检查了低聚物作为空穴传输材料在EL器件上的应用，并从由ITO /低聚物/ Alq 3 / Mg-Ag组成的器件中获得了2140 cd / m 2的最大电致发光度。