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4-cyano-N-methoxypyridinium | 51342-22-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-cyano-N-methoxypyridinium
英文别名
4-cyano-1-methoxy-pyridinium;N-Methoxypyridinium-4-carbonitril;4-Cyan-1-methoxy-pyridinium;N-Methoxy-4-cyanopyridinium;1-Methoxypyridin-1-ium-4-carbonitrile
4-cyano-N-methoxypyridinium化学式
CAS
51342-22-4
化学式
C7H7N2O
mdl
——
分子量
135.145
InChiKey
NRVPUBACGYNBNJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.6
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.14
  • 拓扑面积:
    36.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4-cyano-N-methoxypyridinium1,2,4,5-四甲苯9,10-二联苯蒽4,4'-二甲氧基芪 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 生成 N-H-4-cyanopyridinium
    参考文献:
    名称:
    N-烷氧基吡啶鎓盐与醇的光反应中的链扩增:机理和动力学
    摘要:
    从各种单线态和三线态激发的供体到N-甲氧基吡啶鎓盐的光敏电子转移导致N-O键断裂。通过从添加的醇中得到的甲氧基自由基提取氢原子会生成一个α-羟基自由基,该自由基还原另一个吡啶鎓分子,从而导致链增长。例如,4-氰基-N-甲氧基吡啶鎓,P1的噻吨酮敏化反应,与几种脂肪族和苄醇形成的产物(醛或酮和质子化的4-氰基吡啶鎓)的量子产率为约15-20,反应物浓度为0.02-0.04 M时。该反应还可以用三重态苯二酚敏化,在这种情况下起电子给体的作用。α-羟基自由基的氧化电势与吡啶鎓盐的还原电势之间的关系强加了对链增长的能量限制。尽管电子转移步骤的吸热度约为0.25 eV,但链反应仍在进行。然而,由于电子转移的吸热性增加,与难以还原的4-苯基-N-甲氧基吡啶鎓的链反应在范围上受到限制。P1的噻吨酮致敏反应通过稳态和瞬态动力学相结合的方法详细研究了苯甲酸与苯并二氢的关系。链增长反应的双分子速率常数:通过甲
    DOI:
    10.1021/jo050726j
  • 作为产物:
    描述:
    4-溴苯甲醚 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 生成 4-氰基吡啶methoxyl radical4-cyano-N-methoxypyridinium
    参考文献:
    名称:
    Bockman, T. M.; Lee, K. Y.; Kochi, J. K., Journal of the Chemical Society. Perkin transactions II, 1992, # 9, p. 1581 - 1594
    摘要:
    DOI:
  • 作为试剂:
    参考文献:
    名称:
    N-烷氧基吡啶鎓盐与醇的光反应中的链扩增:机理和动力学
    摘要:
    从各种单线态和三线态激发的供体到N-甲氧基吡啶鎓盐的光敏电子转移导致N-O键断裂。通过从添加的醇中得到的甲氧基自由基提取氢原子会生成一个α-羟基自由基,该自由基还原另一个吡啶鎓分子,从而导致链增长。例如,4-氰基-N-甲氧基吡啶鎓,P1的噻吨酮敏化反应,与几种脂肪族和苄醇形成的产物(醛或酮和质子化的4-氰基吡啶鎓)的量子产率为约15-20,反应物浓度为0.02-0.04 M时。该反应还可以用三重态苯二酚敏化,在这种情况下起电子给体的作用。α-羟基自由基的氧化电势与吡啶鎓盐的还原电势之间的关系强加了对链增长的能量限制。尽管电子转移步骤的吸热度约为0.25 eV,但链反应仍在进行。然而,由于电子转移的吸热性增加,与难以还原的4-苯基-N-甲氧基吡啶鎓的链反应在范围上受到限制。P1的噻吨酮致敏反应通过稳态和瞬态动力学相结合的方法详细研究了苯甲酸与苯并二氢的关系。链增长反应的双分子速率常数:通过甲
    DOI:
    10.1021/jo050726j
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文献信息

  • ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    申请人:TAKAHASHI Hidenori
    公开号:US20110318693A1
    公开(公告)日:2011-12-29
    An embodiment of the composition contains a resin (P) containing a repeating unit (A) that is configured to decompose when exposed to actinic rays or radiation to thereby generate an acid. The repeating unit (A) contains a cation structure with a monocyclic or polycyclic heterocycle containing a nitrogen atom.
    该组合物的实施例包含一种树脂(P),其中包含一个重复单元(A),当暴露于光致射线或辐射时,该单元(A)被配置为分解以产生酸。 重复单元(A)包含具有含氮杂环的单环或多环阳离子结构。
  • STRAHLUNGSHÄRTBARE BESCHICHTUNGSMASSEN
    申请人:BASF AKTIENGESELLSCHAFT
    公开号:EP1820064A2
    公开(公告)日:2007-08-22
  • RADIATION-CURABLE COATING SUBSTANCES
    申请人:Haremza Sylke
    公开号:US20100126386A1
    公开(公告)日:2010-05-27
    The invention relates to radiation-curable coating substances containing NIR photoinitiators, to novel formulations of NIR photoinitiators and to the use of said substances.
  • RADIATION-CURABLE COATING MATERIALS
    申请人:Haremza Sylke
    公开号:US20110230617A1
    公开(公告)日:2011-09-22
    The present invention relates to radiation-curable coating materials comprising new photoinitiators, and to the use thereof.
  • RESIST COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
    申请人:TSUCHIMURA Tomotaka
    公开号:US20110318691A1
    公开(公告)日:2011-12-29
    An embodiment of the composition contains any of compounds of general formula (I) below:
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