tetrakis(ethylmethylamido)hafnium - CAS号 352535-01-4

物化性质

熔点：

<-50 °C
沸点：

79 °C0.1 mm Hg(lit.)
密度：

1.324 g/mL at 25 °C(lit.)
闪点：

52 °F
稳定性/保质期：

避免与氧化物和水分接触。

计算性质

辛醇/水分配系数(LogP)：

4.04
重原子数：

17
可旋转键数：

4
环数：

0.0
sp3杂化的碳原子比例：

1.0
拓扑面积：

4
氢给体数：

0
氢受体数：

4

安全信息

TSCA：

No
危险等级：

4.3
危险品标志：

F,Xi
安全说明：

S16,S26,S36
危险类别码：

R11
WGK Germany：

3
海关编码：

2921199090
包装等级：

II
危险类别：

4.3
危险品运输编号：

UN 3398 4.3/PG 2
储存条件：

保存方法：将物品存放在密闭、阴凉、通风干燥的地方。

SDS

SDS：12b2d25e39938c6e731544769ad29a6f

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模块 1. 化学品
1.1 产品标识符
: 四(乙基甲基胺基)铪(IV)
产品名称
1.2 鉴别的其他方法
Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)
TEMAH
1.3 有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途
仅用于研发。不作为药品、家庭或其它用途。

模块 2. 危险性概述
2.1 GHS-分类
易燃液体 (类别 2)
遇水放出易燃气体的物质 (类别 2)
皮肤刺激 (类别 2)
眼睛刺激 (类别 2A)
特异性靶器官系统毒性（一次接触） (类别 3)
2.2 GHS 标记要素，包括预防性的陈述
象形图
警示词危险
危险申明
H225 高度易燃液体和蒸气
H261 遇水放出易燃气体。
H315 造成皮肤刺激。
H319 造成严重眼刺激。
H335 可能引起呼吸道刺激。
警告申明
预防措施
P210 远离热源、火花、明火和热表面。- 禁止吸烟。
P223 因会发生剧烈反应和可能发生闪燃，需避免任何与水接触的可能。
P231 + P232 在惰性气体下操作。防潮。
P233 保持容器密闭。
P240 容器和接收设备接地。
P241 使用防爆的电气/ 通风/ 照明设备。
P242 只能使用不产生火花的工具。
P243 采取措施，防止静电放电。
P261 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾.
P264 操作后彻底清洁皮肤。
P271 只能在室外或通风良好之处使用。
P280 戴防护手套/穿防护服/戴护目镜/戴面罩.
事故响应
P303 + P361 + P353 如果皮肤(或头发)接触：立即除去/脱掉所有沾污的衣物，用水清洗皮肤/淋
浴。
P304 + P340 如吸入: 将患者移到新鲜空气处休息，并保持呼吸舒畅的姿势。
P305 + P351 + P338 如与眼睛接触，用水缓慢温和地冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可方便地取
出，取出隐形眼镜，然后继续冲洗.
P312 如感觉不适，呼救中毒控制中心或医生.
P321 具体处置（见本标签上提供的急救指导）。
P332 + P313 如觉皮肤刺激：求医/就诊。
P335 + P334 掸掉皮肤上的细小颗粒，浸入冷水/用湿绷带包扎。
P337 + P313 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊。
P362 脱掉沾污的衣服，清洗后方可再用。
P370 + P378 火灾时：用干的砂子，干的化学品或耐醇性的泡沫来灭火。
安全储存
P402 + P404 存放于干燥处/密闭的容器中。
P403 + P233 存放于通风良的地方。保持容器密闭。
P403 + P235 保持低温，存放于通风良好处。
P405 存放处须加锁。
P422 内装物存放于惰性气体之下。
废弃处置
P501 将内容物/ 容器处理到得到批准的废物处理厂。
2.3 其它危害物
遇水剧烈反应。

模块 3. 成分/组成信息
3.1 物质
: Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium(IV)
别名
TEMAH
: C12H32HfN4
分子式
: 410.90 g/mol
分子量
组分浓度或浓度范围
Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV)
-
化学文摘登记号(CAS 352535-01-4
No.)

模块 4. 急救措施
4.1 必要的急救措施描述
一般的建议
请教医生。向到现场的医生出示此安全技术说明书。
吸入
如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。如呼吸停止,进行人工呼吸。请教医生。
皮肤接触
用肥皂和大量的水冲洗。请教医生。
眼睛接触
用大量水彻底冲洗至少15分钟并请教医生。
食入
禁止催吐。切勿给失去知觉者通过口喂任何东西。用水漱口。请教医生。
4.2 主要症状和影响，急性和迟发效应
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
4.3 及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示
无数据资料

模块 5. 消防措施
5.1 灭火介质
灭火方法及灭火剂
干粉
5.2 源于此物质或混合物的特别的危害
碳氧化物, 氮氧化物, 二氧化铪
5.3 给消防员的建议
如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。
5.4 进一步信息
无数据资料

模块 6. 泄露应急处理
6.1 作业人员防护措施、防护装备和应急处置程序
使用个人防护用品。避免吸入蒸气、烟雾或气体。保证充分的通风。移去所有火源。
人员疏散到安全区域。谨防蒸气积累达到可爆炸的浓度。蒸气能在低洼处积聚。
6.2 环境保护措施
如能确保安全，可采取措施防止进一步的泄漏或溢出。不要让产品进入下水道。
6.3 泄漏化学品的收容、清除方法及所使用的处置材料
围堵溢出，用防电真空清洁器或湿刷子将溢出物收集起来，并放置到容器中去,根据当地规定处理(见第13部
分)。不要用水冲洗。
6.4 参考其他部分
丢弃处理请参阅第13节。

模块 7. 操作处置与储存
7.1 安全操作的注意事项
避免接触皮肤和眼睛。避免吸入蒸气和烟雾。
切勿靠近火源。－严禁烟火。采取措施防止静电积聚。
7.2 安全储存的条件,包括任何不兼容性
贮存在阴凉处。使容器保持密闭，储存在干燥通风处。
打开了的容器必须仔细重新封口并保持竖放位置以防止泄漏。
贮存期间严禁与水接触。
充气操作和储存
7.3 特定用途
无数据资料

模块 8. 接触控制和个体防护
8.1 容许浓度
最高容许浓度
没有已知的国家规定的暴露极限。
8.2 暴露控制
适当的技术控制
根据良好的工业卫生和安全规范进行操作。休息前和工作结束时洗手。
个体防护设备
眼/面保护
面罩與安全眼鏡请使用经官方标准如NIOSH (美国) 或 EN 166(欧盟) 检测与批准的设备防护眼部。
皮肤保护
戴手套取手套在使用前必须受检查。
请使用合适的方法脱除手套(不要接触手套外部表面),避免任何皮肤部位接触此产品.
使用后请将被污染过的手套根据相关法律法规和有效的实验室规章程序谨慎处理. 请清洗并吹干双手
所选择的保护手套必须符合EU的89/686/EEC规定和从它衍生出来的EN 376标准。
身体保护
防渗透的衣服, 阻燃防静电防护服,
防护设备的类型必须根据特定工作场所中的危险物的浓度和数量来选择。
呼吸系统防护
如危险性评测显示需要使用空气净化的防毒面具，请使用全面罩式多功能防毒面具（US）或ABEK型
（EN
14387）防毒面具筒作为工程控制的候补。如果防毒面具是保护的唯一方式，则使用全面罩式送风防
毒面具。呼吸器使用经过测试并通过政府标准如NIOSH（US）或CEN（EU）的呼吸器和零件。

模块 9. 理化特性
9.1 基本的理化特性的信息
a) 外观与性状
形状: 液体
颜色: 无色
b) 气味
无数据资料
c) 气味阈值
无数据资料
d) pH值
无数据资料
e) 熔点/凝固点
熔点/凝固点: < -50 °C
f) 沸点、初沸点和沸程
78 °C 在 0.01 hPa - lit.
g) 闪点
11 °C - 闭杯
h) 蒸发速率
无数据资料
i) 易燃性(固体,气体)
无数据资料
j) 高的/低的燃烧性或爆炸性限度无数据资料
k) 蒸气压
无数据资料
l) 蒸汽密度
无数据资料
m) 密度/相对密度
1.324 g/cm3 在 25 °C
n) 水溶性
无数据资料
o) n-辛醇/水分配系数
无数据资料
p) 自燃温度
无数据资料
q) 分解温度
无数据资料
r) 粘度
无数据资料

模块 10. 稳定性和反应活性
10.1 反应性
无数据资料
10.2 稳定性
无数据资料
10.3 危险反应
遇水剧烈反应。
10.4 应避免的条件
热,火焰和火花。极端温度和直接日晒。暴露在潮湿中。
10.5 不相容的物质
强氧化剂, 水, 氧
10.6 危险的分解产物
其它分解产物 - 无数据资料

模块 11. 毒理学资料
11.1 毒理学影响的信息
急性毒性
无数据资料
皮肤刺激或腐蚀
无数据资料
眼睛刺激或腐蚀
无数据资料
呼吸道或皮肤过敏
无数据资料
生殖细胞致突变性
无数据资料
致癌性
IARC:
此产品中没有大于或等于 0。1%含量的组分被 IARC鉴别为可能的或肯定的人类致癌物。
生殖毒性
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（一次接触）
吸入 - 可能引起呼吸道刺激。
特异性靶器官系统毒性（反复接触）
无数据资料
吸入危险
无数据资料
潜在的健康影响
吸入吸入可能有害。引起呼吸道刺激。
摄入如服入是有害的。
皮肤通过皮肤吸收可能有害。造成皮肤刺激。
眼睛造成严重眼刺激。
接触后的征兆和症状
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
附加说明
化学物质毒性作用登记: 无数据资料

模块 12. 生态学资料
12.1 生态毒性
无数据资料
12.2 持久性和降解性
无数据资料
12.3 潜在的生物累积性
无数据资料
12.4 土壤中的迁移性
无数据资料
12.5 PBT 和 vPvB的结果评价
无数据资料
12.6 其它不良影响
无数据资料

模块 13. 废弃处置
13.1 废物处理方法
产品
在装备有加力燃烧室和洗刷设备的化学焚烧炉内燃烧处理,特别在点燃的时候要注意,因为此物质是高度易燃
性物质将剩余的和不可回收的溶液交给有许可证的公司处理。
受污染的容器和包装
按未用产品处置。

模块 14. 运输信息
14.1 联合国危险货物编号
欧洲陆运危规: 3398 国际海运危规: 3398 国际空运危规: 3398
14.2 联合国运输名称
欧洲陆运危规: ORGANOMETALLIC SUBSTANCE, LIQUID, WATER-REACTIVE
(Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV))
国际海运危规: ORGANOMETALLIC SUBSTANCE, LIQUID, WATER-REACTIVE
(Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV))
国际空运危规: OrganomeTAllic subSTa href=https://www.molaid.com/MS_164855 target="_blank">TAnce, liquid, water-rEACtiVE (Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium(IV))
14.3 运输危险类别
欧洲陆运危规: 4.3 国际海运危规: 4.3 国际空运危规: 4.3
14.4 包裹组
欧洲陆运危规: II 国际海运危规: II 国际空运危规: II
14.5 环境危险
欧洲陆运危规: 否国际海运危规国际空运危规: 否
海洋污染物（是/否）: 否
14.6 对使用者的特别提醒
无数据资料

模块 15 - 法规信息
N/A

模块16 - 其他信息
N/A

制备方法与用途

用途

四双(乙基甲基氨)铪(IV)是化学气相沉积（CVD）或原子层沉积工艺中生长氮化铪或氧化铪的关键原材料。

反应信息

作为反应物：

描述：

tetrakis(ethylmethylamido)hafnium 、臭氧以 neat (no solvent) 为溶剂，生成 hafnium(IV) oxide

参考文献：

名称：

通过光谱椭偏法识别 HfO2∕Si(100) 界面处的子带隙吸收特征

摘要：

光谱椭偏仪用于表征通过原子层沉积在化学氧化 p 型 Si (100) 衬底上沉积的 HfO2 栅极介电薄膜中的电荷俘获缺陷状态。在 2.9 和 4.75eV 的 HfO2 带隙以下检测到的特定吸收特征的强度与 Si 临界点明显不同；然而，对在熔融石英基板上沉积和退火的相同 HfO2 薄膜重复这种光谱评估，结果没有检测到缺陷特征。因此，HfO2∕Si(100) 结果表明这些缺氧缺陷不是 HfO2 固有的，而是主要存在于与硅衬底的界面上。

DOI：

10.1063/1.2769389
作为产物：

描述：

N-乙基甲基胺、氯化铪在正丁基锂作用下，以甲苯、 hexanes 为溶剂，以85%的产率得到tetrakis(ethylmethylamido)hafnium

参考文献：

名称：

PROCESSES FOR PRODUCING TRANSITION METAL AMIDES

摘要：

提供了用于生产过渡金属胺的方法。根据本发明的方法，在溶剂中将至少一种卤化过渡金属和胺结合以产生中间组合物，然后向中间组合物中加入烷基金属或格氏试剂以产生过渡金属胺。

公开号：

US20100204499A1

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文献信息

규소함유 유기 금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조 방법

申请人：- (주)디엔에프(120010456766) Corp. No ▼ 160111-0109896BRN ▼314-81-38516

公开号：KR102093226B1

公开（公告）日：2020-03-25

본 발명은 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 이용하여 유기 금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)을 통해 고순도 금속 -규소 산화물 박막을 적층으로 형성하는 박막 증착 방법을 제공한다. 또한 상기한 유기금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)에 의하여 우수한 박막 특성, 단차피복성을 확보할 수 있으며, 열적으로 안정한 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 제공한다.

本发明利用含硅有机金属前体化合物通过有机金属化学气相沉积法（MOCVD）和原子层沉积法（ALD），形成高纯度金属-硅氧化物薄膜堆积的沉积方法。此外，通过上述有机金属化学气相沉积法（MOCVD）和原子层沉积法（ALD），可以确保优异的薄膜特性、均匀性，并提供热稳定的含硅有机金属前体化合物。
Band gap and band offsets for ultrathin (HfO2)x(SiO2)1−x dielectric films on Si (100)

作者：H. Jin、S. K. Oh、H. J. Kang、M.-H. Cho

DOI：10.1063/1.2355453

日期：2006.9.18

Energy band profile of ultrathin Hf silicate dielectrics, grown by atomic layer deposition, was studied by using x-ray photoelectron spectroscopy and reflection electron energy loss spectroscopy. The band gap energy only slightly increases from 5.52eV for (HfO2)0.75(SiO2)0.25 to 6.10eV for (HfO2)0.25(SiO2)0.75, which is much smaller than 8.90eV for SiO2. For ultrathin Hf silicate dielectrics, the band

通过使用 X 射线光电子能谱和反射电子能量损失能谱研究了通过原子层沉积生长的超薄 Hf 硅酸盐电介质的能带分布。带隙能量仅从 (HfO2)0.75(SiO2)0.25 的 5.52eV 略微增加到 ( )0.25(SiO2)0.75 的 6.10eV，远小于 SiO2 的 8.90eV。对于超薄 Hf 硅酸盐电介质，带隙主要由 Hf 5d 导带态和 O 2p 价带态决定。相应的导带偏移量在 1eV 附近，满足载流子势垒高度的最低要求。
Stabilization of higher-κ tetragonal HfO2 by SiO2 admixture enabling thermally stable metal-insulator-metal capacitors

作者：T. S. Böscke、S. Govindarajan、P. D. Kirsch、P. Y. Hung、C. Krug、B. H. Lee、J. Heitmann、U. Schröder、G. Pant、B. E. Gnade、W. H. Krautschneider

DOI：10.1063/1.2771376

日期：2007.8.13

The authors report the relationship between HfO2 crystalline phase and the resulting electrical properties. Crystallization of amorphous HfO2 into the monoclinic phase led to a significant increase in leakage current and formation of local defects. Admixture of 10% SiO2 avoided formation of these defects by stabilization of the tetragonal phase, and concurrently increased the permittivity to 35. This

作者报告了 HfO2 晶相与由此产生的电性能之间的关系。非晶结晶成单斜相导致漏电流显着增加和局部缺陷的形成。10% SiO2 的混合物通过稳定四方相避免了这些缺陷的形成，同时将介电常数增加到 35。这种理解使基于晶体的金属-绝缘体-金属电容器的制造能够承受 1000°C 的热预算，同时在低泄漏 [J(1V)<10−7A∕cm2] 下优化电容等效厚度 (<1.3nm)。
Change of the trap energy levels of the atomic layer deposited HfLaOx films with different La concentration

作者：Chee-Hong An、Myung Soo Lee、Ju-Yun Choi、Hyoungsub Kim

DOI：10.1063/1.3159625

日期：2009.6.29

HfO2 and HfLaOx films with La/(Hf+La) ratios of 42%, 57%, and 64% were synthesized with an atomic layer deposition process. By measuring the leakage current at different temperatures, the conduction mechanism of HfO2 and HfLaOx films was shown to follow the Poole–Frenkel emission model under a gate injection condition. Based on the temperature and field-dependence measurements, the intrinsic trap energy

通过原子层沉积工艺合成了 La/(Hf+La) 比为 42%、57% 和 64% 的超薄 HfO2 和 HfLaOx 薄膜。通过测量不同温度下的漏电流，显示和 HfLaOx 薄膜的导电机制在栅极注入条件下遵循 Poole-Frenkel 发射模型。根据温度和场相关性测量，发现 HfLaOx 样品的固有陷阱能级为 1.42、1.34、1.03 和 0.98 eV，La/(Hf+La) 比率为 0%、42%、57%和 64%，分别显示出随着 La 含量增加而减少的行为。
Electrical properties of ultrathin HfO2 films for replacement metal gate transistors, fabricated by atomic layer deposition using Hf(N(CH3)(C2H5))4 and O3

作者：Satoshi Kamiyama、Takayoshi Miura、Yasuo Nara

DOI：10.1063/1.2072827

日期：2005.9.26

HfO2 gate dielectric was fabricated by atomic layer deposition (ALD) technology using tetrakis(ethylmethylamino)hafnium Hf[N(CH3)(C2H5)]4}, with O3 as an oxidant for use in replacement metal gate transistors. From secondary ion mass spectrometry analyses, the ALD process temperature was very important for the fabrication of high-quality HfO2 films. The dielectric constant with 275 °C deposition was

使用四(乙基甲基氨基)铪Hf[N(CH3)(C2H5)]4}通过原子层沉积(ALD)技术制造超薄HfO2栅极电介质，O3作为氧化剂用于替代金属栅极晶体管。从二次离子质谱分析来看，ALD 工艺温度对于制造高质量的薄膜非常重要。275°C 沉积的介电常数高于 200-250°C。此外，由于在薄膜中形成高残留杂质浓度，如碳，200°C 沉积的 VFB 比 275°C 低约 0.1-0.15 V。相对于参考 SiO2 薄膜，275 °C 情况下的漏电流密度降低了约 5 个数量级。从这些结果来看，

tetrakis(ethylmethylamido)hafnium | 352535-01-4

物质功能分类

分子结构分类

物化性质

计算性质

安全信息

SDS

制备方法与用途

反应信息

文献信息

同类化合物

相关功能分类

相关结构分类

热门分子