bis(pyrrolidinyl)silacyclobutane | 1222908-49-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯烷类
• 英文名称: bis(pyrrolidinyl)silacyclobutane
• 英文别名: bis(pyrrolidino)silacyclobutane；1-(1-pyrrolidin-1-ylsiletan-1-yl)pyrrolidine
• CAS: 1222908-49-7
• 化学式: C₁₁H₂₂N₂Si
• 分子量: 210.395
• InChiKey: OSYHQGGOLYJONU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.02
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  四氢吡咯 、 1，1-二氯硅基环丁烷 以34%的产率得到bis(pyrrolidinyl)silacyclobutane
  参考文献：
  名称：

  CVD Precursors

  摘要：

  一种通过反应气体混合物双氨基硅环丁烷和选自氮气提供气体、氧气提供气体及其混合物的源气体进行热聚合生产含硅薄膜的方法。所沉积的薄膜可以是硅氮化物、硅碳氮化物、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些膜可用作半导体器件中的绝缘层、钝化涂层、屏障涂层、间隔层和/或应力源。

  公开号：

  US20110195582A1

文献信息

• CVD Precursors
  申请人：Zhou Xiaobing

  公开号：US20110195582A1

  公开（公告）日：2011-08-11

  A method of producing silicon containing thin films by the thermal polymerization of a reactive gas mixture bisaminosilacyclobutane and source gas selected from a nitrogen providing gas, an oxygen providing gas and mixtures thereof. The films deposited may be silicon nitride, silicon carbonitride, silicon dioxide or carbon doped silicon dioxide. These films are useful as dielectrics, passivation coatings, barrier coatings, spacers, liners and/or stressors in semiconductor devices.

  一种通过反应气体混合物双氨基硅环丁烷和选自氮气提供气体、氧气提供气体及其混合物的源气体进行热聚合生产含硅薄膜的方法。所沉积的薄膜可以是硅氮化物、硅碳氮化物、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些膜可用作半导体器件中的绝缘层、钝化涂层、屏障涂层、间隔层和/或应力源。
• CVD precursors
  申请人：Zhou Xiaobing

  公开号：US08772524B2

  公开（公告）日：2014-07-08

  A method of producing silicon containing thin films by the thermal polymerization of a reactive gas mixture bisaminosilacyclobutane and source gas selected from a nitrogen providing gas, an oxygen providing gas and mixtures thereof. The films deposited may be silicon nitride, silicon carbonitride, silicon dioxide or carbon doped silicon dioxide. These films are useful as dielectrics, passivation coatings, barrier coatings, spacers, liners and/or stressors in semiconductor devices.

  一种通过反应气体混合物双氨基硅环丁烷和源气体（包括提供氮气、提供氧气或两者混合）的热聚合来制备含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是硅氮化物、硅碳氮化物、二氧化硅或掺碳二氧化硅。这些薄膜在半导体器件中可用作介电材料、钝化涂层、屏障涂层、间隔层和/或应力源。
• US20140256159A1
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• CVD前体
  申请人：陶氏康宁公司

  公开号：CN103467506B

  公开（公告）日：2016-03-23

  一种通过热聚合反应性气体混合物二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气体而生产含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜适用于作为半导体器件中的介电层，钝化涂层，防护涂层，隔板，衬里和/或应激体。