Phenoxyethyl benzenesulfonate | 124004-35-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Phenoxyethyl benzenesulfonate
• 英文别名: 2-phenoxyethyl benzenesulfonate
• CAS: 124004-35-9
• 化学式: C₁₄H₁₄O₄S
• 分子量: 278.329
• InChiKey: IRXDRTXDRBNEJI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  61
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Phenoxyethyl benzenesulfonate 在 lithium bromide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以94%的产率得到2-苯氧乙基溴
  参考文献：
  名称：

  在温和条件下通过相应的磺酸盐从烷醇中制备伯烷基卤和仲烷基卤的有效方法

  摘要：

  该研究本文中所呈现显示，磺酸盐/卤化物交换可以有利地在THF中，当反应是由具有一个C手性烷基磺酸盐或衬底进行执行，以避免几副反应，例如消除和差向异构化 ħ酸性手性中心。发现该方法的主要限制是仲烷基磺酸盐向烷基氯化物的转化。在这种情况下，加入催化量的氯化锰明显加快了反应速度和效率。

  DOI：

  10.1002/adsc.201100736
• 作为产物：
  描述：

  苯磺酰氯 、 己二酸,聚合2,2-二甲基-1,3-丙二醇和2,5-呋喃二酮,苯酸酯 、 甲苯 在 ice 、 水 、 Sodium sulfate-III 、 乙醇 作用下， 以 三乙胺 为溶剂， 反应 3.0h， 以gave 47.2 g (85% by yield) of phenoxyethyl benzenesulfonate的产率得到Phenoxyethyl benzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Optical recording material

  摘要：

  一种光学记录介质，包括基板和在其上形成的薄膜，该薄膜包括一种有机化合物染料，当用半导体激光束照射时能够形成凹坑，以及作为记录层的式(I)所表示的化合物： 1其中，X表示金属茂基团；环A表示具有金属茂基团X与其2位键合的特定杂环；Anm-表示m价阴离子；m表示1或2；p表示维持电荷中性的系数。

  公开号：

  US20030224293A1

文献信息

• MATERIAL FOR FORMATION OF CONDUCTIVE ANTI-REFLECTION FILM, METHOD FOR FORMATION OF CONDUCTIVE ANTI-REFLECTION FILM, METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MAGNETIC HEAD
  申请人：Fujitsu Limited

  公开号：EP2138897A1

  公开（公告）日：2009-12-30

  An object of the invention is to provide a material for forming a conductive antireflection film, which excels in an antistatic effect as well as suppressing a reflection of ultraviolet ray, is highly sensitive, and is capable of efficiently forming a fine resist pattern, wiring pattern, or the like at high resolution and low cast with a simple process without omission or dislocation of the pattern, by preventing accumulation of charges, even when an electron beam is used as exposure light. The material for forming a conductive antireflection film of the invention contains a base resin having conductivity, a crosslinking agent, a thermal acid generator, and a solvent.

  本发明的目的是提供一种用于形成导电减反射膜的材料，该材料具有优异的抗静电效果和抑制紫外线反射的效果，灵敏度高，即使在使用电子束作为曝光光的情况下，也能通过防止电荷积累，以高分辨率和低投射率有效地形成精细抗蚀图案、布线图案或类似图案，且工艺简单，图案无遗漏或错位。本发明用于形成导电减反射膜的材料包含具有导电性的基树脂、交联剂、热酸发生剂和溶剂。
• CONDUCTIVE ANTI-REFLECTION FILM, METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN
  申请人：Fujitsu Limited

  公开号：EP2138897B1

  公开（公告）日：2016-08-03
• MATERIAL FOR FORMING CONDUCTIVE ANTIREFLECTION FILM, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE ANTIREFLECTION FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MAGNETIC HEAD
  申请人：Kon Junichi

  公开号：US20100009296A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  A material for forming a conductive antireflection film contains: a base resin having conductivity; a crosslinking agent; a thermal acid generator; and a solvent.
• MATERIAL FOR FORMING RESIST SENSITIZATION FILM AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：Kon Junichi

  公开号：US20110081615A1

  公开（公告）日：2011-04-07

  A material for forming a resist sensitization film contains a metal salt, a resin and, a solvent. A method for producing a semiconductor device contains applying such material (or a resist) onto a processing surface so as to form a resist sensitization film or a resist film, applying a resist (or the aforementioned material) onto the resist sensitization film so as to form a resist film (or a resist sensitization film); exposing the resist film (or the resist film and the resist sensitization film) to exposure light, and developing the exposed resist film (or the exposed resist film and resist sensitization film) so as to form a resist pattern; and etching the processing surface using the resist pattern as a mask so as to pattern the processing surface.
• US4341403A
  申请人：——

  公开号：US4341403A

  公开（公告）日：1982-07-27