2-(4’-((4-(9H-[3,9’-bicarbazol]-9-yl)phenyl)diphenylsilyl)-(1,1’-biphenyl)-4-yl)-1-phenyl-1H-phenanthro[9,10-d]imidazole | 1579955-07-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并咪唑类
• 英文名称: 2-(4’-((4-(9H-[3,9’-bicarbazol]-9-yl)phenyl)diphenylsilyl)-(1,1’-biphenyl)-4-yl)-1-phenyl-1H-phenanthro[9,10-d]imidazole
• 英文别名: [4-(3-Carbazol-9-ylcarbazol-9-yl)phenyl]-diphenyl-[4-[4-(3-phenylphenanthro[9,10-d]imidazol-2-yl)phenyl]phenyl]silane；[4-(3-carbazol-9-ylcarbazol-9-yl)phenyl]-diphenyl-[4-[4-(3-phenylphenanthro[9,10-d]imidazol-2-yl)phenyl]phenyl]silane
• CAS: 1579955-07-9
• 化学式: C₇₅H₅₀N₄Si
• 分子量: 1035.33
• InChiKey: PLUBMXZMTFXLOC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  16.24
• 重原子数：
  80
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  16.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  27.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3,9'-联咔唑 、 双(4-溴苯基)二苯基硅烷 在 potassium phosphate 、 copper(l) iodide 、 四(三苯基膦)钯 、 Cis-1,2-diaminocyclohexane 、 potassium carbonate 作用下， 以 乙醇 、 甲苯 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 2-(4’-((4-(9H-[3,9’-bicarbazol]-9-yl)phenyl)diphenylsilyl)-(1,1’-biphenyl)-4-yl)-1-phenyl-1H-phenanthro[9,10-d]imidazole
  参考文献：
  名称：

  电气和光学能量间隙的分离：选择性地调节高效蓝光发射器的电气和光学特性

  摘要：

  DCzSiPI进一步开发了分离宽带隙材料的光电带隙的设计理念。HOMO / LUMO的水平可以通过掺入PI和DCz取代基来调节。四苯基硅烷核避免了分子内电荷从DCz转移到PI（DCz =二聚咔唑，PI =菲咯啉[9,10- d ]咪唑）。发现允许的过渡是从HOMO-1到LUMO，从而为DCzSiPI提供了足够的带隙。

  DOI：

  10.1002/chem.201304544

文献信息

• Separation of Electrical and Optical Energy Gaps: Selectively Adjusting the Electrical and Optical Properties for a Highly Efficient Blue Emitter
  作者：He Liu、Ping Chen、Dehua Hu、Xiangyang Tang、Yuyu Pan、Huanhuan Zhang、Wenqiang Zhang、Xiao Han、Qing Bai、Ping Lu、Yuguang Ma

  DOI：10.1002/chem.201304544

  日期：2014.2.17

  The design concept of separation of optical and electrical bandgap for wide bandgap materials is further developed in DCzSiPI. The HOMO/LUMO levels can be tuned by incorporation of PI and DCz substituents. The tetraphenylsilane core avoids the intramolecular charge transfer from DCz to PI (DCz=dimer carbazole, PI=phenanthro[9,10‐d]imidazole). The allowed transitions are found to be from HOMO−1 to LUMO

  DCzSiPI进一步开发了分离宽带隙材料的光电带隙的设计理念。HOMO / LUMO的水平可以通过掺入PI和DCz取代基来调节。四苯基硅烷核避免了分子内电荷从DCz转移到PI（DCz =二聚咔唑，PI =菲咯啉[9,10- d ]咪唑）。发现允许的过渡是从HOMO-1到LUMO，从而为DCzSiPI提供了足够的带隙。