2-butan-2-yl-3-ethyl-1H-pyrrole

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯
• 英文名称: 2-butan-2-yl-3-ethyl-1H-pyrrole
• 化学式: C₁₀H₁₇N
• 分子量: 151.25
• InChiKey: NNZTYZNJICKSQU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  15.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  0

文献信息

• [EN] HETEROCYCLIC COMPOUNDS AS THERAPEUTIC AGENTS<br/>[FR] COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES EN TANT QU'AGENTS THÉRAPEUTIQUES
  申请人：ARISAN THERAPEUTICS INC

  公开号：WO2022108849A1

  公开（公告）日：2022-05-27

  The invention relates to compounds of structural formula I wherein A is independently N or C-R3, R1is selected from (C1to C6) alkyl, (C2to C6) alkenyl, (C2to C6) alkynyl, (C3to C10) cycloalkyl, (C5to C10) cycloalkenyl, (C2to C9) heterocycloalkyl, (C6to C10) aryl, and (C2to C9) heteroaryl, wherein each of the said (C1to C6) alkyl, (C2to C6) alkenyl, (C2to C6) alkynyl, (C3to C10) cycloalkyl, (C5to C10) cycloalkenyl, (C2to C9) heterocycloalkyl, (C6to C10) aryl, and (C2to C9) heteroaryl is optionally substituted with at least one R4group, and wherein said (C2to C9) heteroaryl is C-attached, and R2is selected from the group consisting of Formula (II), Formula (III), Formula (IV), Formula (V) and formula (VI)..

  本发明涉及结构式I的化合物，其中A独立地为N或C-R3，R1选择自(C1到C6)烷基，(C2到C6)烯基，(C2到C6)炔基，(C3到C10)环烷基，(C5到C10)环烯基，(C2到C9)杂环烷基，(C6到C10)芳基，和(C2到C9)杂芳基，其中所述的(C1到C6)烷基，(C2到C6)烯基，(C2到C6)炔基，(C3到C10)环烷基，(C5到C10)环烯基，(C2到C9)杂环烷基，(C6到C10)芳基，和(C2到C9)杂芳基中的每一个都可以选择性地用至少一个R4基团取代，并且所述的(C2到C9)杂芳基是连接在碳上的，R2选择自公式(II)，公式(III)，公式(IV)，公式(V)和公式(VI)的群。
• [EN] HAFNIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU HAFNIUM POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177284A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are hafnium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit hafnium oxide, hafnium silicon oxide and hafnium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU TITANE POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177292A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit titanium oxide, titanium silicon oxide and titanium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.