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2-methyl-3-(2-methylpropyl)-1H-pyrrole

中文名称
——
中文别名
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英文名称
2-methyl-3-(2-methylpropyl)-1H-pyrrole
英文别名
——
2-methyl-3-(2-methylpropyl)-1H-pyrrole化学式
CAS
——
化学式
C9H15N
mdl
——
分子量
137.22
InChiKey
YLAQUXYQHGNMTF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.7
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.56
  • 拓扑面积:
    15.8
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    0

文献信息

  • [EN] HAFNIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU HAFNIUM POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
    申请人:AIR LIQUIDE
    公开号:WO2013177284A1
    公开(公告)日:2013-11-28
    Disclosed are hafnium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit hafnium oxide, hafnium silicon oxide and hafnium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
  • [EN] TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU TITANE POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
    申请人:AIR LIQUIDE
    公开号:WO2013177292A1
    公开(公告)日:2013-11-28
    Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit titanium oxide, titanium silicon oxide and titanium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
  • [EN] ZIRCONIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU ZIRCONIUM POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
    申请人:AIR LIQUIDE
    公开号:WO2013177269A2
    公开(公告)日:2013-11-28
    Disclosed are zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit zirconium oxide, zirconium silicon oxide and zirconium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
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