Dibutyl-[(dibutylamino)-dibutylazaniumylidenemethyl]azanium;trifluoromethanesulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: Dibutyl-[(dibutylamino)-dibutylazaniumylidenemethyl]azanium;trifluoromethanesulfonate
• 英文别名: dibutyl-[(dibutylamino)-dibutylazaniumylidenemethyl]azanium;trifluoromethanesulfonate
• 化学式: C26H55F3N3O3S+
• 分子量: 546.8
• InChiKey: PWXCZTWNEKKLBT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.39
• 重原子数：
  36
• 可旋转键数：
  20
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.96
• 拓扑面积：
  76.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

文献信息

• DÜNNSCHICHTKONDENSATOREN MIT HOHER INTEGRATIONSDICHTE
  申请人：Siemens Aktiengesellschaft

  公开号：EP2926384A1

  公开（公告）日：2015-10-07
• THIN-LAYER CAPACITORS WITH LARGE SCALE INTEGRATION
  申请人：SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

  公开号：US20150380168A1

  公开（公告）日：2015-12-31

  A two-ply, dielectric layer for a thin-layer capacitor, has a bottom, first ply formed of a self-assembled monolayer containing phosphorus oxo compounds and has a top, second ply serving as a planarization layer, the second ply containing guanidinium compounds.
• [DE] DÜNNSCHICHTKONDENSATOREN MIT HOHER INTEGRATIONSDICHTE<br/>[EN] THIN‑LAYER CAPACITORS WITH LARGE SCALE INTEGRATION<br/>[FR] CONDENSATEURS À COUCHE MINCE PRÉSENTANT UNE DENSITÉ D'INTÉGRATION ÉLEVÉE
  申请人：SIEMENS AG

  公开号：WO2014124796A1

  公开（公告）日：2014-08-21

  Die vorliegende Erfindung betrifft ein zweilagige, dielektrische Schicht für einen Dünnschichtkondensator, dadurch gekennzeichnet, dass a) die untere erste Lage (4) eine selbstorganisierende Monolage enthaltend Phosphoroxo-Verbindungen und b) die obere zweite Lage (5) eine Planarisierungslage enthaltend Guanidinium-Verbindungen umfasst.