2,6-bis[2-(4-decylphenyl)ethynyl]anthracene | 1065644-38-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 2,6-bis[2-(4-decylphenyl)ethynyl]anthracene
• CAS: 1065644-38-3
• 化学式: C₅₀H₅₈
• 分子量: 659.011
• InChiKey: VRMHEYAJHDLGNQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  18.7
• 重原子数：
  50
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-溴正癸基苯 在 copper(l) iodide 、 palladium bis[bis(diphenylphosphino)ferrocene] dichloride 、 四丁基氟化铵 、 二异丙胺 、 三苯基膦 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 2,6-bis[2-(4-decylphenyl)ethynyl]anthracene
  参考文献：
  名称：

  Solution Processable Symmetric 4-Alkylethynylbenzene End-Capped Anthracene Derivatives

  摘要：

  在 Sonogashira 偶联反应条件下合成了由蒽和 4-烷基乙炔基苯端帽低聚物组成的新的 OTFT 候选材料。通过傅立叶变换红外光谱、质量、紫外可见光和聚光发射光谱分析、循环伏安法（CV）、差示扫描量热法（DSC）、热重分析（TGA）、$^1H$-NMR 和 $^{13}C$-NMR，对所有低聚物进行了表征。对其物理性质的研究表明，这些低聚物具有较高的氧化电位和热稳定性。通过在硅/$SiO_2$上旋涂 DHPEAnt 和 DDPEAnt 薄膜，制备了顶接触 OTFT。使用DHPEAnt和DDPEAnt制备的器件显示，溶液加工的OTFT的空穴场效应迁移率分别为$4.0{\times}10^{-3}cm^^2$/Vs和$2.0{\times}10^{-3}cm^^2$/Vs。

  DOI：

  10.5012/bkcs.2012.33.2.541

文献信息

• Solution Processable Symmetric 4-Alkylethynylbenzene End-Capped Anthracene Derivatives
  作者：Sang-Hun Jang、Hyun-Jin Kim、Min-Ji Hwang、Eun-Bin Jeong、Hui-Jun Yun、Dong-Hoon Lee、Yun-Hi Kim、Chan-Eon Park、Yong-Jin Yoon、Soon-Ki Kwon、Sang-Gyeong Lee

  DOI：10.5012/bkcs.2012.33.2.541

  日期：2012.2.20

  New candidates composed of anthracene and 4-alkylethynylbenzene end-capped oligomers for OTFTs were synthesized under Sonogashira coupling reaction conditions. All oligomers were characterized by FT-IR, mass, UV-visible, and PL emission spectrum analyses, cyclic voltammetry (CV), differential scanning calorimetry (DSC), thermal gravimetric analysis (TGA), $^1H$-NMR, and $^13}C$-NMR. Investigation of their physical properties showed that the oligomers had high oxidation potential and thermal stability. Thin films of DHPEAnt and DDPEAnt were characterized by spin coating them onto Si/$SiO_2$ to fabricate top-contact OTFTs. The devices prepared using DHPEAnt and DDPEAnt showed hole field-effect mobilities of $4.0\times}10^-3}cm^2$/Vs and $2.0\times}10^-3}cm^2$/Vs, respectively, for solution-processed OTFTs.

  在 Sonogashira 偶联反应条件下合成了由蒽和 4-烷基乙炔基苯端帽低聚物组成的新的 OTFT 候选材料。通过傅立叶变换红外光谱、质量、紫外可见光和聚光发射光谱分析、循环伏安法（CV）、差示扫描量热法（DSC）、热重分析（TGA）、$^1H$-NMR 和 $^13}C$-NMR，对所有低聚物进行了表征。对其物理性质的研究表明，这些低聚物具有较高的氧化电位和热稳定性。通过在硅/$SiO_2$上旋涂 DHPEAnt 和 DDPEAnt 薄膜，制备了顶接触 OTFT。使用DHPEAnt和DDPEAnt制备的器件显示，溶液加工的OTFT的空穴场效应迁移率分别为$4.0\times}10^-3}cm^^2$/Vs和$2.0\times}10^-3}cm^^2$/Vs。