对一系列四面封端的乙炔二苯并二苯衍生物进行建模,然后合成,得到的化合物具有非常相似的电子性质,但根据封端基团的不同,其物理性质也不同。通过改变四面体封端基团的大小,我们对有机晶体管中分子结构与电荷迁移率之间的关系进行了研究。薄膜表征技术(近缘X射线吸收精细结构光谱学,扫描电子显微镜,原子力显微镜和X射线衍射)与有机场效应晶体管(OFET)空穴迁移率数据相结合,以探索分子结构之间的相互作用,分子堆积,衬底电介质和晶体管空穴迁移率。使用这种策略,我们确定了先导化合物TMS-DBC如图2b所示,其具有一维滑动堆叠堆积图案,具有高度的π-π重叠,当沉积在SiO 2 -ODTS衬底上时,空穴迁移率高达0.012 cm 2 V -1 s -1。基板温度和沉积速率的进一步细化导致TMS-DBC 2b实现高达1.17 cm 2 V -1 s -1的空穴迁移率。这些结果表明,四面体封端基团的细微修饰可以改变