bis(pentafluoroethanesulfonyl)amide | 129318-46-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: bis(pentafluoroethanesulfonyl)amide
• 英文别名: bis(pentafluoroethanesulfonyl)imide；bis(pentafluoroethylsulfonyl)amide；Bis(pentafluoroethylsulfonyl)imid；bis(perfluoroethanesulfonyl)imide；di(pentafluoroethylsulfonyl)amide；bis(perfluoroethylsulfonyl)imide；bispentafluoroethylsulfonylimide；bis(perfluoroethylsulfonyl)imid；bis(1,1,2,2,2-pentafluoroethylsulfonyl)azanide
• CAS: 129318-46-3
• 化学式: C₄F₁₀NO₄S₂
• 分子量: 380.164
• InChiKey: SLSPYQCCSCAKIB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.7
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  86
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  15

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(pentafluoroethanesulfonyl)amide 、 2-Oxo-2-phenylethylthiacyclopentaniumbromide 在 二氯甲烷 、 水 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以thus obtaining 15 g of oily substance的产率得到2-Oxo-2-phenylethylthiacyclopentaniumbis(perfluoroethylsulfonyl)imide
  参考文献：
  名称：

  Photoacid generating compounds, chemically amplified positive resist materials, and pattern forming method

  摘要：

  本发明提供了一种高分辨率的抗蚀材料，其包括一种酸发生剂，具有对300纳米或更低能量射线高灵敏度和高分辨率，具有小的线边粗糙度，且具有良好的热稳定性和货架稳定性，并提供使用该抗蚀材料的图案形成方法。本发明进一步提供了一种化学增强型正向抗蚀材料，其包括一种基础树脂、一种酸发生剂和一种溶剂，其中该酸发生剂生成一种含有氟基的烷基亚胺酸，并提供一种图案形成方法，其中包括将抗蚀材料涂布于基板上的步骤，经过热处理后通过光掩模进行300纳米或更低波长的高能射线曝光的步骤，以及经过热处理后通过显影液进行显影的步骤。

  公开号：

  US20030235779A1

文献信息

• 음이온이 다른 디이모늄계 염료 및 이를 포함하는 근적외선 흡수 필름
  申请人：서울대학교산학협력단

  公开号：KR20220021500A

  公开（公告）日：2022-02-22

  본 발명은 근적외선 흡수 필름용 디이모늄계 염료 및 이를 포함하는 근적외선 흡수 필름에 관한 것으로, CMOS 이미지 센서 (CIS), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 자동차 유리, 건재 유리 등의 근적외선 차단을 위한 근적외선 흡수 필름용 염료 및 이를 포함하는 근적외선 흡수 필름에 관한 것이다.

  本发明涉及用于近红外吸收膜的二茂铵类染料及其包含的近红外吸收膜，用于阻挡近红外线的近红外吸收膜包括用于CMOS图像传感器（CIS）、等离子显示面板（PDP）、汽车玻璃、建筑玻璃等的近红外线阻挡的近红外吸收膜用的染料。
• Photoacid generating compounds, chemically amplified positive resist materials, and pattern forming method
  申请人：——

  公开号：US20030207201A1

  公开（公告）日：2003-11-06

  The invention provides a high-resolution resist material comprising an acid generator that has high sensitivity and high resolution with respect to high-energy rays of 300 nm or less, has small line-edge roughness, and is superior in heat stability and in shelf stability, and provides a pattern forming method that uses this resist material. The invention further provides a chemically amplified positive resist material comprising a base resin, an acid generator and a solvent in which the acid generator generates an alkylimidic acid containing a fluorine group, and provides a pattern forming method comprising a step of applying the resist material to the substrate, a step of performing exposure to a high-energy ray of a wavelength of 300 nm or less through a photomask following heat treatment, and a step of performing development by a developing solution following heat treatment.

  本发明提供了一种高分辨率的抗蚀材料，包括具有高灵敏度和高分辨率的酸发生剂，对300纳米或更低能量射线具有小线缘粗糙度，且具有优异的热稳定性和货架稳定性，以及使用该抗蚀材料的图案形成方法。本发明还提供了一种化学增强型正向抗蚀材料，包括基础树脂、酸发生剂和溶剂，其中酸发生剂生成含有氟基的烷基亚胺酸，并提供了一种图案形成方法，包括将抗蚀材料涂布到基板上的步骤，通过光掩膜进行波长为300纳米或更低的高能射线曝光的步骤，以及在热处理后通过显影溶液进行显影的步骤。