3-Ethyl-2,3-dihydro-γ-pyran | 15990-74-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 氧杂环化合物
• 英文名称: 3-Ethyl-2,3-dihydro-γ-pyran
• 英文别名: 3-ethyl-3,4-dihydro-2H-pyran
• CAS: 15990-74-6
• 化学式: C₇H₁₂O
• 分子量: 112.172
• InChiKey: IHUWHRMVMJKXRO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.71
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-Ethyl-2,3-dihydro-γ-pyran 、 2,2-dimethy-5-oxiranyl-1,3-dioxane 在 copper(l) iodide 、 叔丁基锂 作用下， 生成 1-(2,2-Dimethyl-[1,3]dioxan-5-yl)-2-(5-ethyl-5,6-dihydro-4H-pyran-2-yl)-ethanol
  参考文献：
  名称：

  他拉霉素B的合成

  摘要：

  环氧乙烷（的亲核裂解4）由有机铜衍生自6-锂-3-乙基-3,4-二氢-2 ħ吡喃（3）是外消旋talaromycin B（的合成中的关键步骤7）。

  DOI：

  10.1039/c39840000151
• 作为产物：
  描述：

  4-Ethyl-5-hydroxypentanoic acid lactone 以 吡啶 为溶剂， 反应 1.5h， 生成 3-Ethyl-2,3-dihydro-γ-pyran
  参考文献：
  名称：

  他拉霉素B的合成

  摘要：

  环氧乙烷（的亲核裂解4）由有机铜衍生自6-锂-3-乙基-3,4-二氢-2 ħ吡喃（3）是外消旋talaromycin B（的合成中的关键步骤7）。

  DOI：

  10.1039/c39840000151

文献信息

• HCV PROTEASE INHIBITORS AND USES THEREOF
  申请人：Niu Deqiang

  公开号：US20090176858A1

  公开（公告）日：2009-07-09

  The present invention provides compounds, pharmaceutically acceptable compositions thereof, and methods of using the same.

  本发明提供了化合物、药学上可接受的组合物以及使用它们的方法。
• BIPHENYL DERIVATIVE, RESIST BOTTOM LAYER MATERIAL, BOTTOM LAYER FORMING METHOD, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Kori Daisuke

  公开号：US20120252218A1

  公开（公告）日：2012-10-04

  A biphenyl derivative having formula (1) is provided wherein Ar1 and Ar2 denote a benzene or naphthalene ring, and x and z each are 0 or 1. A material comprising the biphenyl derivative or a polymer comprising recurring units of the biphenyl derivative is spin coated and heat treated to form a resist bottom layer having improved properties, optimum values of n and k, step coverage, etch resistance, heat resistance, solvent resistance, and minimized outgassing.

  提供公式（1）的二苯基衍生物，其中Ar1和Ar2表示苯环或萘环，x和z各自为0或1。含有该二苯基衍生物的材料或含有该二苯基衍生物重复单元的聚合物被旋涂并经热处理，以形成具有改进性能、最佳值的n和k、阶梯覆盖、蚀刻抗性、耐热性、耐溶剂性和最小化气体放出的抗蚀底层。
• ORGANIC FILM COMPOSITION, PROCESS FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20160336189A1

  公开（公告）日：2016-11-17

  An organic film composition including a compound represented by the following general formula (1), wherein n1 and n2 each independently represent 0 or 1; “W” represents a single bond or any of structures represented by the following formula (2); R 1 represents any of structures represented by the following general formula (3); m1 and m2 each independently represent an integer of 0 to 7, with the proviso that m1+m2 is 1 to 14. There can be provided an organic film composition for forming an organic film having dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.

  一种有机薄膜组合物，包括以下通式（1）所表示的化合物，其中n1和n2各自独立地表示0或1；“W”表示单键或以下式（2）所表示的任何结构之一；R1表示以下通式（3）所表示的任何结构之一；m1和m2各自独立地表示0到7的整数，但m1+m2为1到14。可以提供一种有机薄膜组合物，用于形成具有干法蚀刻抗性以及先进的填充/平坦化特性的有机薄膜。
• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20130087529A1

  公开（公告）日：2013-04-11

  There is disclosed A resist underlayer film composition, the resist underlayer film composition contains a truxene compound having a substituted or an unsubstituted naphthol group as shown by the following general formula (1). There can be provided a resist underlayer film composition to form a resist underlayer film being capable of reducing reflectance and having high etching resistance, heat resistance.

  公开了一种抗蚀底层膜组合物，该抗蚀底层膜组合物包含一种三苯乙烷化合物，其具有如下通式（1）所示的取代或未取代萘酚基。可以提供一种抗蚀底层膜组合物，以形成一种能够减少反射并具有高蚀刻抗性和耐热性的抗蚀底层膜。
• Compound for forming organic film, and organic film composition using the same, process for forming organic film, and patterning process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10007183B2

  公开（公告）日：2018-06-26

  The invention provides a compound for forming an organic film having a partial structure represented by the following formula (ii), wherein the ring structures Ar1, Ar2 and Ar3 each represent a substituted or unsubstituted benzene ring or naphthalene ring; e is 0 or 1; R0 represents a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms; L0 represents a linear, branched or cyclic divalent organic group having 1 to 32 carbon atoms; and the methylene group constituting L0 may be substituted by an oxygen atom or a carbonyl group. There can be provided an organic film composition for forming an organic film having high dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.

  本发明提供了一种用于形成有机薄膜的化合物，其部分结构由下式(ii)表示、 其中，环结构 Ar1、Ar2 和 Ar3 分别代表取代或未取代的苯环或萘环；e 为 0 或 1；R0 代表氢原子或具有 1 至 30 个碳原子的线性、支链或环状一价有机基团；L0 代表具有 1 至 32 个碳原子的线性、支链或环状二价有机基团；构成 L0 的亚甲基可被氧原子或羰基取代。本发明可提供一种有机薄膜组合物，用于形成具有高抗干蚀刻性和高级填充/平面化特性的有机薄膜。