2-hydroxyethyl (E)-hex-3-enoate | 210967-41-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: 2-hydroxyethyl (E)-hex-3-enoate
• CAS: 210967-41-2
• 化学式: C₈H₁₄O₃
• 分子量: 158.197
• InChiKey: OZOHYLOYJOWOKW-ONEGZZNKSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.8
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  反式-2-己烯甲酯 、 sodium bis(ethylenedioxy)borate 反应 0.33h， 生成 2-hydroxyethyl (E)-hex-3-enoate
  参考文献：
  名称：

  Ramasubramanian; Gopi, Sreeraj; Matharasi, D. Priya, Asian Journal of Chemistry, 2011, vol. 23, # 8, p. 3660 - 3662

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] IMPROVED HYDROGENATION PROCESS<br/>[FR] PROCÉDÉ PERFECTIONNÉ D'HYDROGÉNATION
  申请人：DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC

  公开号：WO2009111352A1

  公开（公告）日：2009-09-11

  The present invention provides an improved hydrogenation processes wherein heat is efficiently managed so that catalyst productivity is optimized. More particularly, in the processes of the present invention, a nonaqueous solvent is added to a reactant to provide a nonaqueous solvent/reactant mixture that can act as a heat sink and absorb at least a portion of the heat generated within the reactor. Desirably, a reaction product, or a solvent with a minimal number of hydroxyl groups, is utilized so that the formation of unwanted byproducts can be minimized.

  本发明提供了一种改进的氢化工艺，其中有效地管理热量，以优化催化剂的产能。更具体地，在本发明的工艺中，向反应物中添加非水溶剂，以提供非水溶剂/反应物混合物，可以作为热源并吸收反应器内产生的至少一部分热量。理想情况下，使用反应产物或具有最少数量羟基的溶剂，以便最小化不必要的副产物的形成。
• PROCESS OF COATING A HARD MASK COMPOSITION FOR PATTERN TRANSFER INTO A SILICON SUBSTRATE
  申请人：Merck Patent GmbH

  公开号：EP3686672A1

  公开（公告）日：2020-07-29

  The present invention relates to a process of coating a hard mask composition on a silicon substrate comprising: a4) applying a composition comprised of metal oxide nanoparticles dispersed in an organic solvent onto a substrate to form a hard mask film, b4) baking the hard mask film, c4) coating a bottom antireflective coating on top of the hard mask film, d4) coating a photoresist on top of said antireflective coating, e4) patterning the resist forming a resist pattern, f4) etching through the bottom antireflective coating not protected by the resist pattern down to the hard mask coating with a fluorinated plasma, g4) etching through the hard mask layer not protected by the bottom antireflective coating and photoresist down to the silicon substrate with a chlorine plasma producing a patterned hard mask film, and h4) etching with a fluorinated plasma into the silicon substrate in those area not protected by the patterned hard mask film producing topographical features into the silicon features.

  本发明涉及一种在硅衬底上涂覆硬掩膜组合物的工艺，包括 a4) 将分散在有机溶剂中的金属氧化物纳米颗粒组成的组合物涂在基底上，形成硬掩膜、 b4) 烘烤硬掩膜、 c4) 在硬掩膜上涂覆底部抗反射涂层、 d4) 在所述抗反射涂层上涂覆光刻胶、 e4) 将光刻胶图案化，形成光刻胶图案、 f4) 使用含氟等离子体蚀刻未受抗蚀剂图案保护的底部防反射涂层，直至硬掩膜、 g4) 用氯等离子体蚀刻未受底部抗蚀层和光刻胶保护的硬掩膜层，直至硅衬底，形成图案化的硬掩膜，以及 h4) 用含氟等离子体蚀刻硅衬底上未受图案化硬掩膜保护的区域，在硅特征上产生地形特征。
• EP0973721A4
  申请人：——

  公开号：EP0973721A4

  公开（公告）日：2000-05-10
• PROCESS FOR HYDROXYALKYLATING CARBOXYLIC ACID-FUNCTIONALIZED MATERIALS
  申请人：LOCTITE CORPORATION

  公开号：EP0973721A1

  公开（公告）日：2000-01-26
• IMPROVED HYDROGENATION PROCESS
  申请人：Dow Global Technologies Inc.

  公开号：EP2262752A1

  公开（公告）日：2010-12-22