(4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate | 157692-56-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate
• 英文别名: 4-Hydroxyphenyldiphenylsulfonium 4-methylbenzenesulfonate；(4-hydroxyphenyl)-diphenylsulfanium;4-methylbenzenesulfonate
• CAS: 157692-56-3
• 化学式: C₇H₇O₃S*C₁₈H₁₅OS
• 分子量: 450.579
• InChiKey: JILJYTPDQRWDGS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.39
• 重原子数：
  31
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.04
• 拓扑面积：
  86.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate 在 N,N-二异丙基乙胺 、 sodium hydroxide 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 39.34h， 生成
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS

  摘要：

  本发明提供了一种亚砜盐，能够提供在光刻工艺中使用高能光束作为光源时具有较少缺陷的光刻胶组合物，并通过控制酸扩散在光刻性能方面表现出色。本发明通过包括阴离子和阳离子的亚砜盐实现，其中阳离子具有以下通用式（1）所表示的部分结构，除了具有以下通用式（1'）所表示的阳离子的亚砜盐。

  公开号：

  US20180275516A1
• 作为产物：
  描述：

  (4-tert-butyloxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate 在 对甲苯磺酸一水合物 二氯甲烷 、 水 、 4-甲基-2-戊酮 、 (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 反应 5.0h， 以obtaining 24 g of the target compound, (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate as oily matter的产率得到(4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Patterning process and resist composition

  摘要：

  一种负型图案的制备方法，包括将一种包含由式（1）和（2）的重复单元组成的聚合物和式（3）的光酸发生剂的抗蚀剂组合物涂覆在基板上，烘烤，曝光，PEB和在有机溶剂中显影。在式（1）和（2）中，R1为H，F，CH3或CF3，Z为单键，苯基，萘基或（骨架）-C（═O）-O-Z′-，Z′为烷基，苯基或萘基，XA为酸敏感基团，YL为H或极性基团。在式（3）中，R2和R3为单价烃基，R4为二价烃基，或R2和R3，或R2和R4可以与硫形成环，L为单键或二价烃基，Xa和Xb为H，F或CF3，k为1到4的整数。

  公开号：

  US09164384B2
• 作为试剂：
  描述：

  (4-tert-butyloxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate 在 对甲苯磺酸一水合物 二氯甲烷 、 水 、 4-甲基-2-戊酮 、 (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 反应 5.0h， 以obtaining 24 g of the target compound, (4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate as oily matter的产率得到(4-hydroxyphenyl)diphenylsulfonium p-toluenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  PATTERNING PROCESS AND RESIST COMPOSITION

  摘要：

  一种负型图案的制备方法，包括将含有公式（1）和（2）重复单元的聚合物和公式（3）的光酸发生剂的抗蚀组合物涂覆到基板上，烘烤、曝光、PEB和在有机溶剂中显影。在公式（1）和（2）中，R1是H，F，CH3或CF3，Z是单键，苯基，萘基或（骨架）-C（═O）-O-Z′-，Z′是烷基，苯基或萘基，XA是酸敏基团，YL是H或极性基团。在公式（3）中，R2和R3是单价碳氢基团，R4是二价碳氢基团，或R2和R3，或R2和R4可以与硫形成环，L是单键或二价碳氢基团，Xa和Xb是H，F或CF3，k是1到4的整数。

  公开号：

  US20140322650A1

文献信息

• RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYPHENOLIC COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION, AND ALCOHOLIC COMPOUND THAT CAN BE DERIVED THEREFROM
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20160145231A1

  公开（公告）日：2016-05-26

  A resist composition containing a compound represented by the general formula (1) or (2), a method for forming a resist pattern using the composition, a polyphenolic compound for use in the composition, and an alcoholic compound that can be derived therefrom are described.

  描述了一种包含由通式（1）或（2）表示的化合物的光刻胶组合物，使用该组合物形成光刻胶图案的方法，用于该组合物的多酚化合物，以及可以由其衍生的醇化合物。
• OPTICAL COMPONENT FORMING COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20200262787A1

  公开（公告）日：2020-08-20

  The present invention provides an optical component forming composition comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.

  本发明提供了一种包括含碲化合物或含碲树脂的光学元件成型组合物。
• Novel carbazole derivative and chemically amplified radiation-sensitive resin composition
  申请人：——

  公开号：US20020172885A1

  公开（公告）日：2002-11-21

  A carbazole derivative of the following formula (1), 1 wherein R 1 and R 2 individually represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, or R 1 and R 2 form, together with the carbon atom to which R 1 and R 2 bond, a divalent organic group having a 3-8 member carbocyclic structure or a 3-8 member heterocyclic structure, and R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. The carbazole derivative is suitable as an additive for increasing sensitivity of a chemically amplified resist. A chemically amplified radiation-sensitive resin composition, useful as a chemically amplified resist, comprising the carbazole derivative is also disclosed.

  以下是该段文字的中文翻译： 一种具有以下式（1）的咔唑衍生物，其中R1和R2分别代表氢原子或一价有机基团，或者R1和R2与其结合的碳原子一起形成具有3-8个成员碳环结构或3-8个成员杂环结构的二价有机基团，R3代表氢原子或一价有机基团。该咔唑衍生物适用作为增加化学增感抗蚀性的添加剂。还公开了一种化学增感辐射敏感树脂组合物，该组合物用作化学增感抗蚀剂，包括该咔唑衍生物。
• Novel anthracene derivative and radiation-sensitive resin composition
  申请人：——

  公开号：US20030194634A1

  公开（公告）日：2003-10-16

  A novel anthracene derivative useful as an additive to a radiation-sensitive resin composition is disclosed. The anthracene derivative has the following formula (1), 1 wherein R 1 groups individually represent a hydroxyl group or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, n is an integer of 0-9, X is a single bond or a divalent organic group having 1-12 carbon atoms, and R 2 represents a monovalent acid-dissociable group. The radiation-sensitive resin composition comprises the anthracene derivative of the formula (1), a resin insoluble or scarcely soluble in alkali, but becomes alkali soluble in the presence of an acid, and a photoacid generator. The composition is useful as a chemically-amplified resist for microfabrication utilizing deep ultraviolet rays, typified by a KrF excimer laser and ArF excimer laser.

  揭示了一种作为辐射敏感树脂组合物添加剂有用的新型蒽衍生物。该蒽衍生物具有以下化学式（1），其中R1基分别表示一个羟基或具有1-20个碳原子的一价有机基团，n是0-9的整数，X是一个单键或具有1-12个碳原子的二价有机基团，R2表示一价酸可解离基团。辐射敏感树脂组合物包括化学式（1）的蒽衍生物，一种在碱性条件下不溶或几乎不溶但在存在酸时变为碱溶的树脂，以及光酸发生剂。该组合物可用作化学放大光刻胶，用于利用KrF准分子激光和ArF准分子激光等深紫外线进行微加工。
• Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition
  申请人：——

  公开号：US20030113658A1

  公开（公告）日：2003-06-19

  A novel photoacid generator containing a structure of the following formula (I), 1 wherein R is a monovalent organic group with a fluorine content of 50 wt % or less, a nitro group, a cyano group, or a hydrogen atom, and Z 1 and Z 2 are individually a fluorine atom or a linear or branched perfluoroalkyl group having 1-10 carbon atoms, is provided. When used in a chemically amplified radiation-sensitive resin composition, the photoacid generator exhibits high transparency, comparatively high combustibility, and no bioaccumulation, and produces an acid exhibiting high acidity, high boiling point, moderately short diffusion length in the resist coating, and low dependency to mask pattern density.

  提供一种新型光酸发生剂，其含有以下式(I)的结构，其中R是一种具有50重量％或以下氟含量，硝基，氰基或氢原子的一价有机基团，Z1和Z2分别是氟原子或具有1-10个碳原子的线性或支链全氟烷基团。当用于化学增感辐射敏感树脂组成物中时，该光酸发生剂表现出高透明度，相对高的可燃性和无生物积累，并产生具有高酸度，高沸点，适度短的扩散长度在抗蚀涂层中，并且对掩模图案密度的依赖性低的酸。