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2,2',4,4',6,6'-Hexamethyl-4,4'-bi-4H-pyran | 6263-82-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,2',4,4',6,6'-Hexamethyl-4,4'-bi-4H-pyran
英文别名
2,2',4,4',6,6'-hexamethyl-4H,4'H-4,4'-bipyran;2,4,6-trimethyl-4-(2,4,6-trimethylpyran-4-yl)pyran
2,2',4,4',6,6'-Hexamethyl-4,4'-bi-4H-pyran化学式
CAS
6263-82-7
化学式
C16H22O2
mdl
——
分子量
246.349
InChiKey
WUGHCNSVFNHUAI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.3
  • 重原子数:
    18
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    18.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,2',4,4',6,6'-Hexamethyl-4,4'-bi-4H-pyran乙腈 为溶剂, 生成 2,4,6-trimethyl-4H-pyran
    参考文献:
    名称:
    Garrard, W. Neil; Thomas, Francis G., Australian Journal of Chemistry, 1983, vol. 36, # 10, p. 1983 - 1989
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    2,4,6-trimethyl-4H-pyran 以 乙腈 为溶剂, 生成 2,2',4,4',6,6'-Hexamethyl-4,4'-bi-4H-pyran
    参考文献:
    名称:
    Garrard, W. Neil; Thomas, Francis G., Australian Journal of Chemistry, 1983, vol. 36, # 10, p. 1983 - 1989
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern
    申请人:Novaled AG
    公开号:EP1837927A1
    公开(公告)日:2007-09-26
    Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von heterocyclischen Radikalen oder Diradikalen, deren Dimeren, Oligomeren, Polymeren, Dispiroverbindungen und Polycyclen zur Verwendung als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials wobei die Dotanden eine Struktur gemäß der folgenden Formeln afweisen:
    本发明涉及杂环自由基或二元自由基、它们的二聚体、低聚物、聚合物、二iro 化合物和多环作为掺杂剂用于掺杂有机半导体基体材料的用途,其中掺杂剂具有符合 下式的结构:
  • VERWENDUNG VON HETEROCYCLISCHEN RADIKALEN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBEITERN
    申请人:Novaled AG
    公开号:EP2002492A1
    公开(公告)日:2008-12-17
  • Use of Heterocyclic Radicals for Doping Organic Semiconductors
    申请人:Zeika Olaf
    公开号:US20110108772A1
    公开(公告)日:2011-05-12
    The present invention relates to the use of heterocyclic radicals or diradicals, their dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles for use as dopant for doping an organic semiconductive matrix material, where the dopants have a structure based on the following formulae.
  • US8431046B2
    申请人:——
    公开号:US8431046B2
    公开(公告)日:2013-04-30
  • [DE] VERWENDUNG VON HETEROCYCLISCHEN RADIKALEN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBEITERN<br/>[EN] USE OF HETEROCYCLIC RADICALS FOR DOPING ORGANIC SEMICONDUCTORS<br/>[FR] UTILISATION DE RADICAUX HETEROCYCLIQUES POUR LE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES
    申请人:NOVALED AG
    公开号:WO2007107306A1
    公开(公告)日:2007-09-27
    [EN] The present invention relates to the use of heterocyclic radicals or diradicals, their dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles for use as dopant for doping an organic semiconductive matrix material, where the dopants have a structure based on the following formulae.
    [FR] La présente invention concerne l'utilisation de radicaux ou biradicaux hétérocycliques, leurs dimères, oligomères, polymères, composés dispiro et polycycles en tant que dopant pour le dopage d'un matériau matriciel de semi-conducteur organique, les dopants présentant une structure conforme à la formule suivante.
    [DE] Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von heterocyclischen Radikalen oder Diradikalen, deren Dimeren, Oligomeren, Polymeren, Dispiroverbindungen und Polycyclen zur Verwendung als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials wobei die Dotanden eine Struktur gemäß der folgenden Formeln afweisen.
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